公开(公告)号：CN101677106B

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN200910173854.9

申请日：2009-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李景镐 ,  郑光一 ,  安正卓 ,  金利泰 ,  文敬植 ,  金范锡 ,  奇永培 ,  李东永 ,  郑泰燮 ,  李康仙

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明公开了一种像素单元、一种包括所述像素单元的图像传感器、一种包括所述像素单元的系统及一种形成像素单元的方法。所述像素单元包括基底、外延层和在外延层中的光电转换装置。外延层具有凸出形状的掺杂浓度曲线，并包括堆叠在基底上的多个层。光电转换装置不包括沿垂直方向电势恒定的中性区域。因此，包括所述像素单元的图像传感器具有高量子化效率，并且减小了光电转换装置之间的串扰。

公开(公告)号：CN101677106A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200910173854.9

申请日：2009-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李景镐 ,  郑光一 ,  安正卓 ,  金利泰 ,  文敬植 ,  金范锡 ,  奇永培 ,  李东永 ,  郑泰燮 ,  李康仙

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/82 ,  H04N3/15 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明公开了一种像素单元、一种包括所述像素单元的图像传感器、一种包括所述像素单元的系统及一种形成像素单元的方法。所述像素单元包括基底、外延层和在外延层中的光电转换装置。外延层具有凸出形状的掺杂浓度曲线，并包括堆叠在基底上的多个层。光电转换装置不包括沿垂直方向电势恒定的中性区域。因此，包括所述像素单元的图像传感器具有高量子化效率，并且减小了光电转换装置之间的串扰。