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公开(公告)号：CN1881600A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200510126893.5
申请日：2005-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14643
Abstract: 本发明公开了一种具有埋入沟道金属氧化物半导体(MOS)晶体管的CMOS图像传感器。该CMOS图像传感器具有光转换装置和源输出晶体管。光转换装置响应于入射光的能量产生电流信号和改变浮置节点的电压。源输出晶体管具有掺杂有第一导电类型材料的源极区域、掺杂有第一导电类型材料的漏极区域、掺杂有与第一导电类型材料互补的第二导电类型材料的栅极区域以及具有第一导电类型材料的埋入沟道。所述埋入沟道形成在所述源极区和漏极区之间且在所述栅极区之下。此外，所述源输出晶体管放大所述浮置节点的电压以产生第一信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101677106A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200910173854.9
申请日：2009-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/82 , H04N3/15 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开了一种像素单元、一种包括所述像素单元的图像传感器、一种包括所述像素单元的系统及一种形成像素单元的方法。所述像素单元包括基底、外延层和在外延层中的光电转换装置。外延层具有凸出形状的掺杂浓度曲线，并包括堆叠在基底上的多个层。光电转换装置不包括沿垂直方向电势恒定的中性区域。因此，包括所述像素单元的图像传感器具有高量子化效率，并且减小了光电转换装置之间的串扰。
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公开(公告)号：CN101677106B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN200910173854.9
申请日：2009-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开了一种像素单元、一种包括所述像素单元的图像传感器、一种包括所述像素单元的系统及一种形成像素单元的方法。所述像素单元包括基底、外延层和在外延层中的光电转换装置。外延层具有凸出形状的掺杂浓度曲线，并包括堆叠在基底上的多个层。光电转换装置不包括沿垂直方向电势恒定的中性区域。因此，包括所述像素单元的图像传感器具有高量子化效率，并且减小了光电转换装置之间的串扰。
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公开(公告)号：CN109817650A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811254537.5
申请日：2018-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提出了一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括：基底，包括光电元件；第一滤色器，设置在基底上；第二滤色器，设置在基底上并且与第一滤色器相邻；覆盖膜，设置在第一滤色器和第二滤色器的侧壁之间；以及气隙，形成在覆盖膜中。
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公开(公告)号：CN102157534A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110021282.X
申请日：2011-01-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/369
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H04N5/3745
Abstract: 本发明公开了一种单元像素以及包括该单元像素的相机和处理器基系统。单元像素包括光子折射微透镜。单元像素可包括光电二极管、金属层和光子折射微透镜。光子折射微透镜可设置在光电二极管和金属层之间。光子折射微透镜可将由金属层反射的光子朝向光电二极管的中心部分折射。
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