公开(公告)号：CN101012334A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200610063978.8

申请日：2006-09-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 慎重汉 ,  李恩庆 ,  郑银贞 ,  金周永 ,  文炫植 ,  李相润

IPC: C08L83/00 ,  C08K5/56 ,  H01B3/18 ,  H01B3/46 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40 ,  C08L29/00 ,  C08L47/00 ,  C08L71/00

CPC classification number: H01L51/052 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/3122 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0055 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明涉及一种有机绝缘体组合物，具有此有机绝缘体组合物的有机绝缘膜，具有此有机绝缘膜的有机薄膜晶体管，具有此有机薄膜晶体管的电子设备，以及形成这些产品的方法。本发明还涉及包括氟化硅烷化合物的有机绝缘体组合物，该化合物可以用于改进有机薄膜晶体管的载流子迁移率和滞后现象。提供包括氟化硅烷化合物的有机绝缘体组合物，以及使用该组合物的有机薄膜晶体管。使用此有机绝缘体组合物可以改进此有机薄膜晶体管的滞后和物理特性，例如阈值电压和/或载流子迁移率。此有机薄膜晶体管可有效用于包括液晶显示器(LCD)和/或光电设备在内的各种电子设备的制造。

公开(公告)号：CN101691420A

公开(公告)日：2010-04-07

申请号：CN200910009844.1

申请日：2009-01-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李芳璘 ,  韩国珉 ,  李恩庆 ,  金渡桓 ,  文炫植

IPC: C08G61/12 ,  H01L51/05 ,  H01L51/42 ,  H01L51/50 ,  H01L51/30 ,  H01L51/46 ,  H01L51/54

CPC classification number: C08G61/126 ,  C08G61/123 ,  H01B1/127 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0545 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及有机半导体共聚物和包括其的有机电子器件。根据示例性实施方式的有机半导体共聚物可由下式1表示。有机电子器件可包括上述有机半导体共聚物。根据示例性实施方式的有机半导体共聚物可提供改善的溶解性、加工性能和薄膜性能。因此，该有机半导体共聚物可用在多种电子器件中。合适的电子器件可为有机薄膜晶体管。当有机薄膜晶体管的有源层包含该有机半导体共聚物时，可获得更高的电荷迁移率和更低的断路泄漏电流。(式1)

公开(公告)号：CN101691420B

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN200910009844.1

申请日：2009-01-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李芳璘 ,  韩国珉 ,  李恩庆 ,  金渡桓 ,  文炫植

IPC: C08G61/12 ,  H01L51/05 ,  H01L51/42 ,  H01L51/50 ,  H01L51/30 ,  H01L51/46 ,  H01L51/54

CPC classification number: C08G61/126 ,  C08G61/123 ,  H01B1/127 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0545 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及有机半导体共聚物和包括其的有机电子器件。根据示例性实施方式的有机半导体共聚物可由下式1表示。有机电子器件可包括上述有机半导体共聚物。根据示例性实施方式的有机半导体共聚物可提供改善的溶解性、加工性能和薄膜性能。因此，该有机半导体共聚物可用在多种电子器件中。合适的电子器件可为有机薄膜晶体管。当有机薄膜晶体管的有源层包含该有机半导体共聚物时，可获得更高的电荷迁移率和更低的断路泄漏电流。(式1)

公开(公告)号：CN1970551A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200610171899.9

申请日：2006-11-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑银贞 ,  文炫植 ,  韩国珉

IPC: C07D333/18 ,  H01L51/00 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

CPC classification number: Y02E10/549

Abstract: 公开了芳香烯二炔衍生物、生产由该芳香烯二炔衍生物形成的有机半导体薄膜的方法和制造包括该有机半导体薄膜的电子器件的方法。根据本发明的芳香烯二炔衍生物具有改进的化学和/或电学稳定性，其能提高所制得的半导体器件的可靠性。根据本发明的芳香烯二炔衍生物还可适用于在室温或接近室温的温度下通过基于溶液的方法，例如旋涂，在各种基质上进行沉积以形成涂膜，然后将该涂膜加热以形成有机半导体薄膜。这种可用的低温处理允许在大面积基质和/或在不适于高温处理的基质上使用所述芳香烯二炔衍生物。因此，根据本发明的所述有机半导体薄膜可用于薄膜晶体管、电致发光器件、太阳能电池和存储器件中。