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公开(公告)号：CN116107921A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211323041.5
申请日：2022-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体存储器装置及其操作方法。半导体存储器装置包括：包括多个存储器单元行的存储器单元阵列、行锤击管理电路和刷新控制电路。行锤击管理电路在参考时间间隔期间，从外部存储器控制器捕获伴随有从激活命令随机选择的第一激活命令的行地址，每个激活命令具有一致的第一选择概率；并且在参考时间间隔期间，从捕获的行地址中多次选择至少一个行地址作为锤击地址，选择的次数与对应于至少一个行地址的激活命令的访问计数成比例。刷新控制电路接收锤击地址，并且对与对应于锤击地址的存储器单元行物理地相邻的一个或多个受害存储器单元行执行锤击刷新操作。
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