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公开(公告)号：CN117497657A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202310967137.3
申请日：2023-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了发光器件、显示装置及其制造方法。发光器件包括：掺有n型掺杂剂并具有第一晶格常数的第一氮化物半导体层；提供在第一氮化物半导体层上并具有大于第一晶格常数的第二晶格常数的有源层，该有源层包括包含铟的氮化物半导体材料；插置在第一氮化物半导体层和有源层之间并具有在第一晶格常数和第二晶格常数之间的第三晶格常数的应力松弛层，该应力松弛层包括包含铟的氮化物半导体材料；以及提供在有源层上并掺有p型掺杂剂的第二氮化物半导体层，其中有源层包括：提供在应力松弛层的上表面上的上有源区，以及提供在应力松弛层的侧表面上的侧有源区。
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公开(公告)号：CN117497656A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202310265604.8
申请日：2023-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种发光器件以及包括该发光器件的显示器和电子设备。该发光器件包括基底半导体层、三维(3D)发光结构和形成为平坦形状的平坦发光结构，其中平坦发光结构产生具有与3D发光结构的波长不同的波长的光。缓和基底半导体层与平坦发光结构之间的晶格失配的应变缓和层可以在基底半导体层上布置在其中至少形成平坦发光结构的区域中。
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公开(公告)号：CN117476832A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310858488.0
申请日：2023-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及一种发光结构、显示装置和显示装置的制造方法。该发光结构包括：基板；第一外延结构，设置在基板上；第二外延结构，设置在第一外延结构上；以及第三外延结构，设置在第二外延结构上。第一外延结构、第二外延结构和第三外延结构中的每个以依次堆叠结构包括第一导电性的第一半导体层、载流子阻挡层、有源层和第二导电性的第二半导体层。
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公开(公告)号：CN114447166A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202110817560.6
申请日：2021-07-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了纳米棒发光器件、制造其的方法和包括该纳米棒发光器件的显示装置。该纳米棒发光器件包括被掺杂为具有第一导电类型的第一半导体层、设置在第一半导体层上的发光层、以及设置在发光层上并被掺杂为具有与第一导电类型电相反的第二导电类型的第二半导体层，其中在第一半导体层的下表面和第二半导体层的上表面之间的距离在约2μm至约10μm的范围内，其中第二半导体层的上表面的直径和第一半导体层的下表面的直径之差是第二半导体层的上表面的直径的10％或更小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114388549A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202110733691.6
申请日：2021-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了微型发光显示装置和制造其的方法。该微型发光显示装置包括：第一半导体层；隔离结构，提供在第一半导体层上并配置为限定多个子像素，每个子像素配置为发光；第一发光单元，包括提供在所述多个子像素之中的第一子像素中的第一活性层和提供在第一活性层上的第二半导体层；以及第二发光单元，包括提供在所述多个子像素之中的第二子像素中的棒半导体层、提供在棒半导体层上的第二活性层和提供在第二活性层上的第三半导体层。第一活性层配置为发射蓝光，第二活性层配置为发射绿光。
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公开(公告)号：CN112951866A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202010511267.2
申请日：2020-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了包括多个子像素并被配置为基于所述多个子像素中的每个发射光的显示装置以及制造该显示装置的方法。该显示装置包括：基板；驱动层，提供在基板上并包括配置为向显示装置施加电流的驱动元件；电连接到驱动层的第一电极；提供在第一电极上的第一半导体层；提供在第一半导体层上的有源层；提供在有源层上的第二半导体层；提供在第二半导体层上的第二电极；以及提供在第二半导体层上的反射层，其中从有源层发射的光在第一电极与反射层之间谐振。
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公开(公告)号：CN117637945A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311105538.4
申请日：2023-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了多波长发光器件以及制造该多波长发光器件的方法。一种配置为发射第一波长的光、第二波长的光和第三波长的光的多波长发光器件包括：基板；提供在基板上的第一类型半导体层；提供在第一类型半导体层上的有源层；提供在有源层上的第二类型半导体层；以及提供在第二类型半导体层上的电极。有源层包括配置为发射第一波长的光的第一有源区、配置为发射第二波长的光的第二有源区以及配置为发射第三波长的光的第三有源区。
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公开(公告)号：CN113823718A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202011515556.6
申请日：2020-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种纳米棒发光器件、其制造方法以及包括该纳米棒发光器件的显示装置，该纳米棒发光器件包括：掺有第一导电类型杂质的第一半导体层、设置在第一半导体层上方的发射层、设置在发射层上方并掺有与第一导电类型杂质电性相反的第二导电类型杂质的第二半导体层、设置在发射层的下表面的中央部分与第一半导体层和发射层的上表面的中央部分与第二半导体层中的至少一个之间的导电层、以及围绕导电层的侧壁的电流阻挡层。
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