公开(公告)号：CN115513351A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202210222589.4

申请日：2022-03-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔濬熙 ,  韩周宪 ,  金洛铉 ,  金柱成

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/00 ,  H01L27/15

Abstract: 本公开提供了纳米棒发光器件、其制造方法及包括其的显示装置，该纳米棒发光器件包括半导体发光纳米棒和围绕该半导体发光纳米棒的侧壁并具有绝缘特性的钝化膜，其中钝化膜包括具有与半导体发光纳米棒的晶体结构相同的晶体结构的绝缘晶体材料。

公开(公告)号：CN114300497A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202110695819.4

申请日：2021-06-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孔基毫 ,  崔濬熙

IPC: H01L27/15 ,  H01L27/12 ,  G09F9/33 ,  H01L21/77 ,  H01L21/84

Abstract: 公开了微型发光显示装置和制造该微型发光显示装置的方法。微型发光显示装置包括微型发光元件、连接到微型发光元件的驱动晶体管、连接到驱动晶体管的开关晶体管，第一开口被提供为暴露开关晶体管的源极区或漏极区，驱动晶体管的栅电极延伸到第一开口中并与开关晶体管的源极区或漏极区接触。

公开(公告)号：CN113241396A

公开(公告)日：2021-08-10

申请号：CN202110080705.9

申请日：2021-01-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔濬熙 ,  金洛铉 ,  朴珍珠 ,  韩周宪

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/24 ,  H01L33/00

Abstract: 提供了发光二极管(LED)以及包括该发光二极管的显示装置。LED包括：第一半导体层；多个有源元件，在第一半导体层上彼此间隔开并且每个具有比第一半导体层的宽度小的宽度；以及设置在所述多个有源元件上的第二半导体层。

公开(公告)号：CN108987423A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810567852.7

申请日：2018-06-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑七熙 ,  崔濬熙 ,  黄晟寓 ,  田信爱 ,  郑得锡 ,  曹准奭

IPC: H01L27/15

Abstract: 公开了一种显示装置。所述显示装置可以包括发光元件阵列、晶体管阵列和颜色控制部件单片式地设置在一个基板上的单片器件。所述显示装置可以包括包含发光元件阵列的第一分层结构、包含晶体管阵列的第二分层结构、和包含颜色控制部件的第三分层结构，其中第二分层结构位于第一分层结构和第三分层结构之间。发光元件阵列可以包括包含无机材料的多个发光元件。多个发光元件可以具有竖直纳米结构。

公开(公告)号：CN102751180A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201110309006.3

申请日：2011-10-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李周浩 ,  崔濬熙 ,  李相勋 ,  宋美贞

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/04 ,  H01L33/12 ,  H01L33/00 ,  H01L41/08 ,  H01L41/22

CPC classification number: H01L21/02458 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01L33/02 ,  H01L33/24 ,  H01L41/1132 ,  H01L41/319

Abstract: 一种制造氮化镓(GaN)薄层的方法、利用该方法制造的GaN膜结构以及包括该GaN膜结构的半导体器件，其中高品质的GaN层可以通过该方法采用悬置在基板上方的电极层而生长在大面积基板上。该方法包括：在基板上形成牺牲层；在牺牲层上形成第一缓冲层；在第一缓冲层上形成电极层；在电极层上形成第二缓冲层；部分地蚀刻牺牲层，从而形成配置为支撑第一缓冲层的至少两个支撑件并且形成在基板与第一缓冲层之间的至少一个空腔；以及在第二缓冲层上形成GaN薄层。

公开(公告)号：CN110896122B

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN201910863951.4

申请日：2019-09-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄京旭 ,  安浩荣 ,  崔濬熙 ,  孔基毫 ,  韩周宪

IPC: H01L33/46 ,  H01L33/50 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L27/15

Abstract: 一种显示装置包括：基板；发光层；共用发光层的多个颜色转换层；以及绝缘层，提供在发光层和所述多个颜色转换层之间并具有比发光层小的折射率。

公开(公告)号：CN115528152A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210738705.8

申请日：2022-06-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金柱成 ,  朴永焕 ,  申东澈 ,  崔濬熙 ,  金洛铉 ,  朴正勋 ,  李银圣 ,  韩周宪

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00 ,  H01L27/15

Abstract: 本发明提供一种氮化镓发光器件、包括该氮化镓发光器件的显示装置以及该氮化镓发光器件的制造方法。该氮化镓发光器件可以是条型发光器件并且包括n‑GaN半导体层、与n‑GaN半导体层间隔开的p‑GaN半导体层、布置在n‑GaN半导体层和p‑GaN半导体层之间的有源层、以及包括铟簇和空隙的应变松弛层。

公开(公告)号：CN110896122A

公开(公告)日：2020-03-20

申请号：CN201910863951.4

申请日：2019-09-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄京旭 ,  安浩荣 ,  崔濬熙 ,  孔基毫 ,  韩周宪

IPC: H01L33/46 ,  H01L33/50 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L27/15

Abstract: 一种显示装置包括：基板；发光层；共用发光层的多个颜色转换层；以及绝缘层，提供在发光层和所述多个颜色转换层之间并具有比发光层小的折射率。

公开(公告)号：CN104008991B

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201310415442.8

申请日：2013-09-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵恩亨 ,  崔濬熙 ,  孙镇升 ,  文彰烈

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/04

CPC classification number: H01L21/7806 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/28 ,  H01L21/82 ,  H01L23/3192 ,  H01L27/153 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/03926 ,  H01L31/1848 ,  H01L31/1856 ,  H01L31/1892 ,  H01L31/1896 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/02 ,  H01L33/32 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0016 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/32341 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了一种转移半导体元件的方法，其用于将形成在非柔性衬底上的半导体元件转移到柔性衬底。此外，本发明还提供了基于转移半导体元件的方法来制造柔性半导体器件的方法。生长或形成在衬底上的半导体元件可以在保持布置的同时有效地转移到树脂层。树脂层用作支撑竖直半导体元件的柔性衬底。

公开(公告)号：CN101545136A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200810185914.4

申请日：2008-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔濬熙 ,  朴性秀 ,  安德雷·朱尔卡尼夫 ,  韩在镕 ,  郑得锡

IPC: C30B25/10 ,  H01L21/04 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B35/00 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02606 ,  H01L33/007 ,  H01L33/18 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种微加热器阵列和包括微加热器阵列的PN结器件及其制造方法。本发明包括：包括在衬底上彼此垂直或平行设置的第一微加热器和第二微加热器的微加热器阵列；以及利用当将电压施加到微加热器阵列时分别从第一加热部分和第二加热部分产生的热在第一加热部分与第二加热部分之间制造PN结的方法。因此，当使用微加热器形成PN结时，可以在玻璃衬底上的大面积内制造高质量的PN结。