公开(公告)号：CN106057804A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610228052.3

申请日：2016-04-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吕京奂 ,  朴省昱 ,  李承宰 ,  崔道永 ,  朴善钦 ,  尹泰应 ,  车东镐 ,  陈瑞宜

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/408 ,  H01L27/1104 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0649

Abstract: 本公开涉及一种半导体器件。该半导体器件包括衬底、衬底上的有源图案、与有源图案交叉的栅电极和栅电极上的封盖结构。封盖结构包括顺序层叠在栅电极上的第一封盖图案和第二封盖图案。第二封盖图案完全覆盖第一封盖图案的顶表面，第二封盖图案的介电常数大于第一封盖图案的介电常数。

公开(公告)号：CN106057804B

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN201610228052.3

申请日：2016-04-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吕京奂 ,  朴省昱 ,  李承宰 ,  崔道永 ,  朴善钦 ,  尹泰应 ,  车东镐 ,  陈瑞宜

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/06

Abstract: 本公开涉及一种半导体器件。该半导体器件包括衬底、衬底上的有源图案、与有源图案交叉的栅电极和栅电极上的封盖结构。封盖结构包括顺序层叠在栅电极上的第一封盖图案和第二封盖图案。第二封盖图案完全覆盖第一封盖图案的顶表面，第二封盖图案的介电常数大于第一封盖图案的介电常数。