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公开(公告)号：CN106057804B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201610228052.3
申请日：2016-04-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/06
Abstract: 本公开涉及一种半导体器件。该半导体器件包括衬底、衬底上的有源图案、与有源图案交叉的栅电极和栅电极上的封盖结构。封盖结构包括顺序层叠在栅电极上的第一封盖图案和第二封盖图案。第二封盖图案完全覆盖第一封盖图案的顶表面，第二封盖图案的介电常数大于第一封盖图案的介电常数。
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公开(公告)号：CN104051270A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410069205.5
申请日：2014-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423
CPC classification number: H01L21/3083 , H01L21/31144 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/7848 , H01L29/785
Abstract: 本发明提供一种形成半导体结构的方法和半导体器件，该方法可以包括在其上具有硬掩模层的在第一方向上延伸的硅鳍上形成光刻掩模。利用光刻掩模，在硅鳍中穿过硬掩模层可以形成沟槽，沟槽在第二方向上延伸以将硅鳍分离成在第一方向上端部对端部地延伸的第一和第二鳍结构。相对于沟槽的由第一和第二鳍结构限定的下部，可以将沟槽的由硬掩模层形成的部分加宽。
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公开(公告)号：CN106356372B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN201610474846.8
申请日：2016-06-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括第一鳍式图案和第二鳍式图案，它们从场绝缘膜的上表面向上突出，并且在第一方向上延伸。栅极结构与第一鳍式图案和第二鳍式图案交叉。第一外延层在栅极结构的至少一侧上位于第一鳍式图案上，并且第二外延层在栅极结构的至少一侧上位于第二鳍式图案上。金属接触部分覆盖第一外延层的外周围表面和第二外延层的外周围表面。第一外延层接触第二外延层。
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公开(公告)号：CN104217959B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201410140427.1
申请日：2014-04-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法包括：提供有源鳍和包括设置在有源鳍上的第一沟槽的场绝缘膜；通过执行设置在第一沟槽的侧壁和下部上的场绝缘膜的第一蚀刻而形成第二沟槽；通过执行设置在第二沟槽的侧壁和下部上的场绝缘膜的第二蚀刻而在场绝缘膜中形成第一区域和第二区域，第一区域邻近有源鳍设置并具有第一厚度，第二区域相比于第一区域与有源鳍间隔开设置并具有比第一厚度厚的第二厚度；以及在有源鳍和场绝缘膜上形成栅极结构。
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公开(公告)号：CN106057804A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610228052.3
申请日：2016-04-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/408 , H01L27/1104 , H01L29/41791 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/7848 , H01L29/785 , H01L27/0886 , H01L29/0649
Abstract: 本公开涉及一种半导体器件。该半导体器件包括衬底、衬底上的有源图案、与有源图案交叉的栅电极和栅电极上的封盖结构。封盖结构包括顺序层叠在栅电极上的第一封盖图案和第二封盖图案。第二封盖图案完全覆盖第一封盖图案的顶表面，第二封盖图案的介电常数大于第一封盖图案的介电常数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106158746B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201610228203.5
申请日：2016-04-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L21/762 , H01L27/088
Abstract: 提供了半导体器件及其形成方法。所述方法可以包括：通过刻蚀衬底形成第一深度的第一沟槽来形成鳍；在所述第一沟槽中形成第一器件隔离层；通过刻蚀所述第一器件隔离层和所述衬底，形成大于所述第一深度的第二深度的第二沟槽；在所述第二沟槽中形成第二器件隔离层；在所述鳍上形成多个虚设栅极；通过刻蚀所述虚设栅极中的至少一个以及所述鳍，形成小于所述第一深度的第三深度的第三沟槽；以及在所述第三沟槽中形成第三器件隔离层。
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公开(公告)号：CN106356372A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610474846.8
申请日：2016-06-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/823871 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L27/0924 , H01L29/0847 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/665 , H01L29/7848 , H01L2029/7858 , H01L27/0886 , H01L21/823431
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括第一鳍式图案和第二鳍式图案，它们从场绝缘膜的上表面向上突出，并且在第一方向上延伸。栅极结构与第一鳍式图案和第二鳍式图案交叉。第一外延层在栅极结构的至少一侧上位于第一鳍式图案上，并且第二外延层在栅极结构的至少一侧上位于第二鳍式图案上。金属接触部分覆盖第一外延层的外周围表面和第二外延层的外周围表面。第一外延层接触第二外延层。
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公开(公告)号：CN106158746A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610228203.5
申请日：2016-04-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L21/762 , H01L27/088
CPC classification number: H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L21/76224 , H01L27/0886
Abstract: 提供了半导体器件及其形成方法。所述方法可以包括：通过刻蚀衬底形成第一深度的第一沟槽来形成鳍；在所述第一沟槽中形成第一器件隔离层；通过刻蚀所述第一器件隔离层和所述衬底，形成大于所述第一深度的第二深度的第二沟槽；在所述第二沟槽中形成第二器件隔离层；在所述鳍上形成多个虚设栅极；通过刻蚀所述虚设栅极中的至少一个以及所述鳍，形成小于所述第一深度的第三深度的第三沟槽；以及在所述第三沟槽中形成第三器件隔离层。
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公开(公告)号：CN104217959A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410140427.1
申请日：2014-04-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/78 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/785 , H01L29/66795
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法包括：提供有源鳍和包括设置在有源鳍上的第一沟槽的场绝缘膜；通过执行设置在第一沟槽的侧壁和下部上的场绝缘膜的第一蚀刻而形成第二沟槽；通过执行设置在第二沟槽的侧壁和下部上的场绝缘膜的第二蚀刻而在场绝缘膜中形成第一区域和第二区域，第一区域邻近有源鳍设置并具有第一厚度，第二区域相比于第一区域与有源鳍间隔开设置并具有比第一厚度厚的第二厚度；以及在有源鳍和场绝缘膜上形成栅极结构。
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公开(公告)号：CN107170741B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201710130993.8
申请日：2017-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 一种集成电路(IC)器件包括：彼此邻近的一对鳍形有源区，在其间有鳍分离区，所述一对鳍形有源区延伸成一行；以及在鳍分离区中的鳍分离绝缘结构，其中所述一对鳍形有源区包括第一鳍形有源区，第一鳍形有源区具有限定部分的鳍分离区的第一拐角，并且其中鳍分离绝缘结构包括：下绝缘图案，覆盖所述一对鳍形有源区的侧壁；以及上绝缘图案，在下绝缘图案上以覆盖第一拐角的至少部分，上绝缘图案具有在比所述一对鳍形有源区的每个的顶表面高的水平处的顶表面。
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