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公开(公告)号：CN115968194A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211006321.3
申请日：2022-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括基底、在基底上在第一方向上延伸的多条源极线、与源极线交叉并且在不同于第一方向的第二方向上延伸的多条字线、与源极线和字线交叉并且在不同于第一方向和第二方向的第三方向上延伸的多条位线以及设置在源极线、字线和位线之间的交点处的多个存储器单元。第一方向、第二方向和第三方向平行于基底的顶表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115884592A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211188493.7
申请日：2022-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：多个栅电极，在基板上在第一水平方向上延伸并且每个包括彼此相对的第一垂直延伸侧壁和第二垂直延伸侧壁；沟道层，布置在每个栅电极的第一垂直延伸侧壁上并包括垂直延伸部分；铁电层和栅极绝缘层，依次位于沟道层和每个栅电极的第一垂直延伸侧壁之间使得铁电层在栅极绝缘层和栅电极之间；绝缘层，在每个栅电极的第二垂直延伸侧壁上；以及多条位线，电连接到沟道层并在与第一水平方向不同的第二水平方向上延伸。
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公开(公告)号：CN116419573A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202211649703.8
申请日：2022-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体器件，其包括：衬底；包括电极和沟道分离图案的堆叠，电极堆叠在衬底上并彼此间隔开，沟道分离图案在相邻电极之间；以及穿透堆叠的垂直结构，其中垂直结构包括导电柱、沟道结构以及在导电柱和沟道结构之间的插入层，沟道结构包括通过沟道分离图案彼此垂直间隔开的第一沟道层和第二沟道层，电极包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极连接到第一沟道层和第二沟道层，沟道分离图案在第一沟道层和第二沟道层之间，沟道分离图案在连接到第一沟道层的一个第二电极和连接到第二沟道层的一个第一电极之间。
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公开(公告)号：CN115666135A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202210320618.0
申请日：2022-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一导线，设置在基底上并且在垂直于基底的顶表面的第一方向上彼此间隔开；第二导线，在平行于基底的顶表面的第二方向上与第一导线间隔开；栅电极，设置在第一导线与第二导电线之间并且在第一方向上延伸；多个沟道图案，设置为包围栅电极的侧表面并且在第一方向上彼此间隔开；铁电图案，在所述多个沟道图案中的每个与栅电极之间；以及栅极绝缘图案，在所述多个沟道图案中的每个与铁电图案之间。所述多个沟道图案中的每个连接到第一导线中的一条对应的第一导线和第二导线中的一条对应的第二导线。
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公开(公告)号：CN116133418A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211022832.4
申请日：2022-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体存储器件可以包括：彼此间隔开的第一位线和第二位线；层间绝缘层，覆盖第一位线和第二位线并包括凹槽，凹槽延伸以与第一位线和第二位线两者交叉；第一沟道图案，连接到第一位线并与凹槽的内侧表面接触并且覆盖层间绝缘层的顶表面；第二沟道图案，连接到第二位线并与凹槽的另一内侧表面接触并且覆盖层间绝缘层的顶表面；在凹槽中的字线；第一电极和第二电极，在层间绝缘层上并分别与第一沟道图案和第二沟道图案接触；以及在第一电极和第二电极之间的电介质层。
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