公开(公告)号：CN101192649A

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200710305197.X

申请日：2007-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟峰 ,  申雄澈 ,  李张昊

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L45/148 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144

Abstract: 提供了一种相变存储器件以及一种制造相变存储器件的方法。相变存储器件可以包括开关元件以及连接到开关元件的存储节点，其中存储节点包括底部电极和顶部电极、插置在底部电极和顶部电极之间的相变层以及插置在顶部电极和相变层之间的钛－碲(Ti－Te)基扩散势垒层。Ti－Te基扩散势垒层可以为TixTe1－x层，其中x可以大于0并且小于0.5。

公开(公告)号：CN101192649B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200710305197.X

申请日：2007-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟峰 ,  申雄澈 ,  李张昊

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L45/148 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144

Abstract: 提供了一种相变存储器件以及一种制造相变存储器件的方法。相变存储器件可以包括开关元件以及连接到开关元件的存储节点，其中存储节点包括底部电极和顶部电极、插置在底部电极和顶部电极之间的相变层以及插置在顶部电极和相变层之间的钛-碲(Ti-Te)基扩散势垒层。Ti-Te基扩散势垒层可以为TixTe1-x层，其中x可以大于0并且小于0.5。