公开(公告)号：CN101232036B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN200810008555.5

申请日：2008-01-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申雄澈

IPC: H01L27/24 ,  H01L21/82 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L45/1233 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1666 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明公开一种包含相变层的相变存储器及其制造方法。该相变存储器包括存储节点和开关器件。开关器件连接到存储节点。存储节点包括选择生长在下电极上的相变层。在制造相变存储器的方法中，绝缘中间层形成在半导体衬底上以覆盖开关器件。形成连接到开关器件的下电极，相变层选择生长在所述下电极上。

公开(公告)号：CN101373715A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200810213314.4

申请日：2008-08-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔相武 ,  成政宪 ,  薛光洙 ,  申雄澈 ,  朴祥珍

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了一种增大氧化铝层的能带隙的方法和一种制造电荷捕获存储装置的方法。即，本发明提供了具有增大的能带隙的结晶氧化铝层、包括结晶氧化铝层的电荷捕获存储装置和它们的制造方法。一种形成具有增大的能带隙的氧化铝层的方法包括以下步骤：在下膜上形成非晶氧化铝层；将氢(H)或羟基(OH)引入到非晶氧化铝层中；使包含H或OH的非晶氧化铝层结晶。

公开(公告)号：CN1996572B

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN200610141682.3

申请日：2006-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜闰浩 ,  李相睦 ,  卢振瑞 ,  申雄澈

IPC: H01L21/822 ,  H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  G11C11/56

CPC classification number: G11C13/025 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/35 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675 ,  Y10S977/734

Abstract: 本发明提供了一种制造具有富勒烯层的相变随机存取存储器的方法。该制造相变随机存取存储器的方法包括在衬底上形成开关装置和连接到所述开关装置的下电极、形成覆盖所述下电极的层间介电膜、和在所述层间介电膜中形成暴露一部分下电极的下电极接触孔；通过用栓材料填充所述下电极接触孔而形成下电极接触栓；在至少包括所述下电极接触栓的上表面的区域上形成富勒烯层；和在所述富勒烯层上依次堆叠相变层和上电极。

公开(公告)号：CN101271960B

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200710185759.1

申请日：2007-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申雄澈 ,  朴柱哲

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/143 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1675

Abstract: 本发明涉及一种相变材料层及其形成方法，相变存储器件及其形成方法。该相变材料层是包括上层部分和下层部分的单层。上层部分和下层部分的的晶格是不同的。相变材料层通过供应带有掺杂气体的第一源到衬底形成掺杂的下层而形成。停止该掺杂气体的供应并且通过供应第二源到下层上而形成非掺杂的上层。形成上层和下层使得该上层和下层的晶格不同。

公开(公告)号：CN101252169A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200810009506.3

申请日：2008-01-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申雄澈 ,  金基俊 ,  许智贤 ,  李孝锡

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  H01L21/82 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683

Abstract: 一种相变存储器件及其制造方法，所述相变存储器件在其存储节点中包括相变层，还包括：底部电极；安置在底部电极上、由相变材料制成的底部电极接触层；安置在底部电极接触层上、宽度小于底部电极接触层的第一相变层；安置在第一相变层上、宽度大于第一相变层的第二相变层；以及安置在第二相变层上的上部电极。

公开(公告)号：CN101222020A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200810009514.8

申请日：2008-01-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜允善 ,  白桂东 ,  申雄澈 ,  吴承真

IPC: H01L45/00 ,  H01L21/82 ,  C25D5/00

CPC classification number: H01L27/2436 ,  C25D3/56 ,  C25D5/50 ,  C25D7/12 ,  C25D9/08 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明提供了一种形成相变层的方法，一种采用形成相变层的方法制造存储节点的方法，以及一种采用制造存储节点的方法来制造相变存储器件的方法。形成相变层的方法可以采用电化学沉积(ECD)方法。形成相变层的方法可以包括：通过混合溶剂和前驱体形成电解液，每个前驱体包括相变层的元素；将阳极板和阴极板浸在电解液中以相互隔离，其中阴极板可以为将在其上沉积相变层的衬底；设定相变层的沉积条件；以及在阳极板和阴极板之间供应电压。

公开(公告)号：CN101192649B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200710305197.X

申请日：2007-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟峰 ,  申雄澈 ,  李张昊

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L45/148 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144

Abstract: 提供了一种相变存储器件以及一种制造相变存储器件的方法。相变存储器件可以包括开关元件以及连接到开关元件的存储节点，其中存储节点包括底部电极和顶部电极、插置在底部电极和顶部电极之间的相变层以及插置在顶部电极和相变层之间的钛-碲(Ti-Te)基扩散势垒层。Ti-Te基扩散势垒层可以为TixTe1-x层，其中x可以大于0并且小于0.5。

公开(公告)号：CN101162758B

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200710096084.3

申请日：2007-04-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申雄澈 ,  赵庆相 ,  崔在荣 ,  姜允善

IPC: H01L45/00 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L45/1683 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1616

Abstract: 提供一种包含相变层表面处理工艺的制备相变存储装置的方法，所述方法包含：在形成相变层之前，在其上欲形成相变层的底层表面上形成涂层，其中所述涂层具有有助于烷基容易地粘附到所述底层表面的化学结构。在形成涂层之后，采用原子层沉积(ALD)法形成相变层。

公开(公告)号：CN101359506A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200810128073.3

申请日：2008-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 成政宪 ,  薛光洙 ,  申雄澈 ,  朴祥珍 ,  崔相武

IPC: G11C16/02 ,  G11C16/30 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26 ,  H01L29/792 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L27/115

CPC classification number: G11C16/0475 ,  G11C16/10 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7923

Abstract: 本发明提供了一种非易失性存储装置及其编程方法，其中，电子穿过衬垫氧化物层在电荷捕获层之间移动。非易失性存储装置包括在半导体基底上并存储电子的第一电荷捕获层、在第一电荷捕获层上的衬垫氧化物层以及在衬垫氧化物层上并存储电子的第二电荷捕获层。在写入数据的编程模式下，存储的电子穿过衬垫氧化物层在第一电荷捕获层的第一边缘和第二电荷捕获层中的第一边缘之间移动，或者存储的电子穿过衬垫氧化物层在第一电荷捕获层的第二边缘和第二电荷捕获层中的第二边缘之间移动。

公开(公告)号：CN101101919A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200710108112.9

申请日：2007-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢振瑞 ,  金基俊 ,  姜闰浩 ,  申雄澈 ,  徐东硕

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144

Abstract: 本发明提供一种具有掺杂相变层的相变存储器及操作该相变存储器的方法。该相变存储器包括具有相变层的存储节点和开关装置，其中相变层中铟的含量a1为5at％＜a1＜15at％，该相变层可以是含有铟的GST层。