公开(公告)号：CN117238849A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202310635014.X

申请日：2023-05-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李丞教 ,  姜钟仁 ,  金桂荣 ,  金荣祐 ,  朴容汉 ,  郑宇陈 ,  韩昇煜 ,  许宙永

IPC: H01L21/77 ,  H01L21/027 ,  H01L21/78

Abstract: 提供了半导体器件和制造半导体器件的方法。所述制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成掩模层、第一分离层、第一芯模层、第二分离层和第二芯模层；对第二芯模层进行图案化以形成第二芯模图案；在第二芯模图案上形成第一间隔物；去除第二芯模图案；对第二分离层和第一芯模层进行图案化以形成第一结构；在第一结构和第一分离层上形成第二间隔物层；各向异性地蚀刻第二间隔物层，以在第一结构上形成第二间隔物，并在第一结构上形成第一虚设图案和对准关键图案；以及在第一分离层上旋转涂布旋涂硬掩模层，其中，旋涂硬掩模层覆盖第一结构、第一虚设图案和对准关键图案。

公开(公告)号：CN117637700A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202310789538.4

申请日：2023-06-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李丞教 ,  金铉澈 ,  郑宇陈

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  H10B12/00 ,  H10B61/00 ,  H10B63/00 ,  H10B63/10

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件可以包括：衬底，所述衬底包括芯片区域和包封所述芯片区域的边缘区域；以及至少一个粗键图案，所述至少一个粗键图案在所述边缘区域上被划分成精细键图案，所述精细键图案在第一方向上延伸并且在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开。每一个所述精细键图案可以包括：第一键图案，所述第一键图案在所述第一方向上延伸；以及第二键图案，所述第二键图案包括沿着所述第一键图案的第一侧表面延伸的第一部分和沿着所述第一键图案的与所述第一侧表面相反的第二侧表面延伸的第二部分。当在所述第二方向上测量时，所述第一部分和所述第二部分中的每一者的宽度可以小于所述第一键图案的宽度。