公开(公告)号：CN108807385A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810287923.8

申请日：2018-04-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵容锡 ,  金亨俊 ,  金重浩 ,  罗重渊 ,  金毕奥 ,  安宰永 ,  吴其龙 ,  李圣海

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成模制结构，使得模制结构包括交替且重复地层叠的层间绝缘膜和牺牲膜；形成穿过模制结构的沟道孔；在沟道孔内形成垂直沟道结构；通过去除牺牲膜来暴露出层间绝缘膜的表面；沿层间绝缘膜的表面形成氧化铝膜；在氧化铝膜上形成连续膜；以及对连续膜进行氮化以形成TiN膜。

公开(公告)号：CN108807385B

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN201810287923.8

申请日：2018-04-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵容锡 ,  金亨俊 ,  金重浩 ,  罗重渊 ,  金毕奥 ,  安宰永 ,  吴其龙 ,  李圣海

IPC: H10B12/00 ,  H10B43/30 ,  H10B43/40

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成模制结构，使得模制结构包括交替且重复地层叠的层间绝缘膜和牺牲膜；形成穿过模制结构的沟道孔；在沟道孔内形成垂直沟道结构；通过去除牺牲膜来暴露出层间绝缘膜的表面；沿层间绝缘膜的表面形成氧化铝膜；在氧化铝膜上形成连续膜；以及对连续膜进行氮化以形成TiN膜。

公开(公告)号：CN106716638B

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN201480082144.4

申请日：2014-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成吉 ,  南泌旭 ,  延国贤 ,  李圣海 ,  张佑赈 ,  刘东哲 ,  林宪亨 ,  池正根 ,  黄棋铉

IPC: H01L27/11578

Abstract: 本发明构思提供了半导体存储器件及其制造方法。所述半导体存储器件可以包括：多个栅极，竖直地堆叠在基底上；竖直沟道，填充竖直地贯穿所述多个栅极的沟道孔；存储层，在沟道的内侧壁上竖直地延伸。竖直沟道可以包括：下沟道，填充沟道孔的下部区域并电连接至基底；上沟道，填充沟道孔的上部区域并接触下沟道。上沟道可以在沟道孔的上部区域中沿存储层和下沟道延伸并且可以具有均匀的厚度。

公开(公告)号：CN106716638A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201480082144.4

申请日：2014-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成吉 ,  南泌旭 ,  延国贤 ,  李圣海 ,  张佑赈 ,  刘东哲 ,  林宪亨 ,  池正根 ,  黄棋铉

IPC: H01L27/11578

Abstract: 本发明构思提供了半导体存储器件及其制造方法。所述半导体存储器件可以包括：多个栅极，竖直地堆叠在基底上；竖直沟道，填充竖直地贯穿所述多个栅极的沟道孔；存储层，在沟道的内侧壁上竖直地延伸。竖直沟道可以包括：下沟道，填充沟道孔的下部区域并电连接至基底；上沟道，填充沟道孔的上部区域并接触下沟道。上沟道可以在沟道孔的上部区域中沿存储层和下沟道延伸并且可以具有均匀的厚度。