公开(公告)号：CN109616474B

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN201811156224.6

申请日：2018-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金志永 ,  李基硕 ,  金奉秀 ,  金俊秀 ,  禹东秀 ,  李圭弼 ,  洪亨善 ,  黄有商

IPC: H10B41/40 ,  H10B41/20 ,  H10B43/40 ,  H10B43/20

Abstract: 提供了半导体存储器件。半导体存储器件包括基板。半导体存储器件包括垂直堆叠在基板上的多个存储单元晶体管。半导体存储器件包括连接到所述多个存储单元晶体管中的至少一个的源极区的第一导电线。半导体存储器件包括连接到所述多个存储单元晶体管的多个栅电极的第二导电线。此外，半导体存储器件包括连接到所述多个存储单元晶体管中的至少一个的漏极区的数据存储元件。

公开(公告)号：CN109841630B

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN201811284157.6

申请日：2018-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李基硕 ,  金俊秀 ,  金熙中 ,  金奉秀 ,  山田悟 ,  李圭弼 ,  韩成熙 ,  洪亨善 ,  黄有商

IPC: H10B41/40 ,  H10B41/20 ,  H10B43/40 ,  H10B43/20

Abstract: 一种半导体存储器件包括堆叠结构，该堆叠结构包括垂直地堆叠在衬底上的多个层。所述多个层的每个包括顺序堆叠的第一电介质层、半导体层和第二电介质层、以及在第二电介质层中并在第一方向上延伸的第一导电线。该半导体存储器件还包括垂直地延伸穿过堆叠结构的第二导电线、以及在堆叠结构中并与第二导电线间隔开的电容器。半导体层包括在第一导电线与衬底之间在交叉第一方向的第二方向上延伸的半导体图案。第二导电线在沿第一方向彼此相邻的成对的半导体图案之间。每个半导体图案的一端电连接到电容器的第一电极。

公开(公告)号：CN109427879B

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN201811024895.7

申请日：2018-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴台镇 ,  金真范 ,  金奉秀 ,  李圭弼 ,  洪亨善 ,  黄有商

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了包括二维材料的装置，所述装置包括：基底；第一电极，位于基底上；绝缘图案，位于基底上；第二电极，位于绝缘图案的上端上；二维(2D)材料层，位于绝缘图案的侧表面上；栅极绝缘层，覆盖2D材料层；以及栅电极，接触栅极绝缘层。绝缘图案在与基底基本垂直的方向上从第一电极延伸。2D材料层包括与绝缘图案的侧表面基本平行的至少一个原子层的2D材料。

公开(公告)号：CN109427879A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201811024895.7

申请日：2018-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴台镇 ,  金真范 ,  金奉秀 ,  李圭弼 ,  洪亨善 ,  黄有商

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了包括二维材料的装置，所述装置包括：基底；第一电极，位于基底上；绝缘图案，位于基底上；第二电极，位于绝缘图案的上端上；二维(2D)材料层，位于绝缘图案的侧表面上；栅极绝缘层，覆盖2D材料层；以及栅电极，接触栅极绝缘层。绝缘图案在与基底基本垂直的方向上从第一电极延伸。2D材料层包括与绝缘图案的侧表面基本平行的至少一个原子层的2D材料。

公开(公告)号：CN109841630A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201811284157.6

申请日：2018-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李基硕 ,  金俊秀 ,  金熙中 ,  金奉秀 ,  山田悟 ,  李圭弼 ,  韩成熙 ,  洪亨善 ,  黄有商

IPC: H01L27/11526 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11578

Abstract: 一种半导体存储器件包括堆叠结构，该堆叠结构包括垂直地堆叠在衬底上的多个层。所述多个层的每个包括顺序堆叠的第一电介质层、半导体层和第二电介质层、以及在第二电介质层中并在第一方向上延伸的第一导电线。该半导体存储器件还包括垂直地延伸穿过堆叠结构的第二导电线、以及在堆叠结构中并与第二导电线间隔开的电容器。半导体层包括在第一导电线与衬底之间在交叉第一方向的第二方向上延伸的半导体图案。第二导电线在沿第一方向彼此相邻的成对的半导体图案之间。每个半导体图案的一端电连接到电容器的第一电极。

公开(公告)号：CN109616474A

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201811156224.6

申请日：2018-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金志永 ,  李基硕 ,  金奉秀 ,  金俊秀 ,  禹东秀 ,  李圭弼 ,  洪亨善 ,  黄有商

IPC: H01L27/11526 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11578

Abstract: 提供了半导体存储器件。半导体存储器件包括基板。半导体存储器件包括垂直堆叠在基板上的多个存储单元晶体管。半导体存储器件包括连接到所述多个存储单元晶体管中的至少一个的源极区的第一导电线。半导体存储器件包括连接到所述多个存储单元晶体管的多个栅电极的第二导电线。此外，半导体存储器件包括连接到所述多个存储单元晶体管中的至少一个的漏极区的数据存储元件。