公开(公告)号：CN111312717B

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN201910890831.3

申请日：2019-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李康远 ,  宋在永 ,  李东植 ,  张桐熏

IPC: H10B43/35 ,  H10B43/27

Abstract: 本公开提供了三维(3D)半导体存储器件。在一种3D半导体存储器件中，堆叠结构包括多个电极和设置在所述多个电极之间的第一绝缘层。堆叠结构在连接区上具有阶梯结构。垂直沟道结构穿透单元阵列区上的堆叠结构。垂直虚设结构穿透连接区上的阶梯结构的至少一部分。第二绝缘层选择性地设置在单元阵列区上。第二绝缘层的最大厚度在从第二绝缘层上的第一绝缘层的最大厚度的1.5倍至10倍的范围内。垂直沟道结构包括在第二绝缘层的顶表面的水平面处的突然直径变化部分。突然直径变化部分具有平行于第二绝缘层的顶表面并与第二绝缘层的顶表面基本上共平面的表面。

公开(公告)号：CN111312717A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201910890831.3

申请日：2019-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李康远 ,  宋在永 ,  李东植 ,  张桐熏

IPC: H01L27/1157 ,  H01L27/11582

Abstract: 本公开提供了三维(3D)半导体存储器件。在一种3D半导体存储器件中，堆叠结构包括多个电极和设置在所述多个电极之间的第一绝缘层。堆叠结构在连接区上具有阶梯结构。垂直沟道结构穿透单元阵列区上的堆叠结构。垂直虚设结构穿透连接区上的阶梯结构的至少一部分。第二绝缘层选择性地设置在单元阵列区上。第二绝缘层的最大厚度在从第二绝缘层上的第一绝缘层的最大厚度的1.5倍至10倍的范围内。垂直沟道结构包括在第二绝缘层的顶表面的水平面处的突然直径变化部分。突然直径变化部分具有平行于第二绝缘层的顶表面并与第二绝缘层的顶表面基本上共平面的表面。