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公开(公告)号：CN111192918A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201910811470.9
申请日：2019-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/10 , H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 一种半导体器件，包括衬底、设置在衬底上的绝缘层以及设置在绝缘层上的第一半导体结构和第二半导体结构。第一半导体结构和第二半导体结构中的每一个包括位于绝缘层上的栅电极、被栅电极围绕并且沿垂直于绝缘层的顶表面的方向堆叠的多个沟道层、以及设置在栅电极和沟道层之间的多个介电层。设置在第一半导体结构中的沟道层的量比设置在第二半导体结构中的沟道层的量大。
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