公开(公告)号：CN118368890A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202410048028.6

申请日：2024-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林义郞 ,  李珍秀 ,  姜政佑 ,  崔俊洛 ,  洪睿珍

IPC: H10B12/00 ,  H01L23/64

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括导电图案和电连接到导电图案的电容器。电容器包括电连接到导电图案的第一电极结构、设置在第一电极结构上的介电层、设置在介电层上的第二电极结构和设置在第二电极结构上的板电极。第二电极结构包括包含第一金属元素和氮元素的第一电极材料层以及包含第二金属元素、第14族元素和氧元素的第一保护材料层。

公开(公告)号：CN118317688A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202311836563.X

申请日：2023-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪叡珍 ,  崔俊洛 ,  李珍秀 ,  姜政佑 ,  林义郞

IPC: H10N97/00 ,  H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；多个下电极，所述多个下电极设置在所述衬底上；电介质层，所述电介质层覆盖所述多个下电极并且包括卤族元素；以及上电极，所述上电极覆盖所述电介质层。所述多个下电极中的每个下电极包括：第一电极层；插入层，所述插入层设置在所述第一电极层上；以及第二电极层，所述第二电极层设置在所述第一电极层和所述插入层上。所述插入层包括含有卤族元素的插入材料。

公开(公告)号：CN116583104A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310045236.6

申请日：2023-01-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡弘植 ,  金泰均 ,  李珍秀 ,  林义郞 ,  林汉镇 ,  丁炯硕

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体装置包括：衬底；接触插塞，其位于衬底上；下电极，其电连接到接触插塞，并且包括顺序地堆叠的第一电极层、第一缓冲层和第二电极层；第一支撑层，其与下电极的上表面接触并且被设置为与下电极的至少一部分重叠，第一支撑层在平行于衬底的上表面的方向上延伸；电介质层，其设置在下电极和第一支撑层上；以及上电极，其设置在电介质层上。下电极包括：第一区域，其与第一支撑层重叠并且具有第一高度；以及第二区域，其不与第一支撑层重叠，并且具有低于第一高度的第二高度。