公开(公告)号：CN117412665A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202310854398.4

申请日：2023-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔俊洛 ,  洪叡珍 ,  李珍秀 ,  蔡弘植

IPC: H10N97/00 ,  H10B12/00

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底；下电极，在基底上；介电层，覆盖下电极；以及上电极，覆盖介电层。下电极中的每个下电极包括：第一电极层，具有圆柱形形状；第一插入层，设置在第一电极层上并且具有圆柱形形状；第二电极层，设置在第一插入层上并且延伸以覆盖第一电极层的上端和第一插入层的上端。第一电极层和第二电极层中的至少一个具有第一应力，第一插入层具有与第一应力不同的第二应力。第一应力是拉伸应力和压缩应力中的一者，并且第二应力是拉伸应力和压缩应力中的另一者。

公开(公告)号：CN118317688A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202311836563.X

申请日：2023-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪叡珍 ,  崔俊洛 ,  李珍秀 ,  姜政佑 ,  林义郞

IPC: H10N97/00 ,  H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；多个下电极，所述多个下电极设置在所述衬底上；电介质层，所述电介质层覆盖所述多个下电极并且包括卤族元素；以及上电极，所述上电极覆盖所述电介质层。所述多个下电极中的每个下电极包括：第一电极层；插入层，所述插入层设置在所述第一电极层上；以及第二电极层，所述第二电极层设置在所述第一电极层和所述插入层上。所述插入层包括含有卤族元素的插入材料。