公开(公告)号：CN113838861A

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN202110690187.2

申请日：2021-06-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李洙龙 ,  文瑞琳 ,  姜奉秀 ,  朴庆宰 ,  柳铁

IPC: H01L27/11565 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582

Abstract: 一种半导体器件包括：外围电路区域，包括第一基板和在第一基板上的电路器件；存储单元区域，包括在第一基板上的第二基板、在第二基板上的水平导电层、在垂直于第二基板的上表面的第一方向上堆叠在水平导电层上并彼此间隔开的栅电极、以及在第一方向上在栅电极中延伸的沟道结构，每个沟道结构包括与水平导电层物理接触的沟道层；以及贯通布线区域，包括在第一方向上延伸并将存储单元区域电连接到外围电路区域的贯通接触插塞、邻接贯通接触插塞的绝缘区域、以及在第一方向上部分地延伸到绝缘区域中的虚设沟道结构。

公开(公告)号：CN109148462B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN201810677598.6

申请日：2018-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹壮根 ,  黄盛珉 ,  任峻成 ,  具教一 ,  赵厚成 ,  金善煐 ,  柳铁 ,  尹在璇

IPC: H10B41/27 ,  H10B41/10 ,  H10B41/35 ,  H10B43/27 ,  H10B43/10 ,  H10B43/35

Abstract: 公开了一种三维半导体存储器装置，其包括在衬底上在第一方向上排列的第一沟道组至第三沟道组。第一沟道组至第三沟道组在衬底上沿着第二方向彼此间隔开。第一沟道组至第三沟道组中的每一个包括在垂直于衬底的顶表面的第三方向上延伸的多个竖直沟道。第一沟道组和第二沟道组在第二方向上彼此邻近并且在第二方向上以第一距离间隔开。第二沟道组和第三沟道组在第二方向上彼此邻近并且以小于第一距离的第二距离间隔开。

公开(公告)号：CN109148462A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810677598.6

申请日：2018-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹壮根 ,  黄盛珉 ,  任峻成 ,  具教一 ,  赵厚成 ,  金善煐 ,  柳铁 ,  尹在璇

IPC: H01L27/11556 ,  H01L27/11582

Abstract: 公开了一种三维半导体存储器装置，其包括在衬底上在第一方向上排列的第一沟道组至第三沟道组。第一沟道组至第三沟道组在衬底上沿着第二方向彼此间隔开。第一沟道组至第三沟道组中的每一个包括在垂直于衬底的顶表面的第三方向上延伸的多个竖直沟道。第一沟道组和第二沟道组在第二方向上彼此邻近并且在第二方向上以第一距离间隔开。第二沟道组和第三沟道组在第二方向上彼此邻近并且以小于第一距离的第二距离间隔开。

公开(公告)号：CN116264771A

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202211597849.2

申请日：2022-12-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜旼求 ,  朱相暾 ,  金俊成 ,  朴正焕 ,  文瑞琳 ,  白石千 ,  柳铁 ,  李璿婴 ,  林澈敏

IPC: H10B41/30 ,  H10B41/40 ,  H10B41/27 ,  H10B43/30 ,  H10B43/40 ,  H10B43/27

Abstract: 一种半导体存储器件可以包括：衬底，包括第一块区域和第二块区域；以及堆叠结构，包括交替地堆叠在衬底上的绝缘膜和栅电极。竖直沟道结构、字线切割结构和块切割结构可以穿透堆叠结构。字线切割结构可以沿第二方向延伸。块切割结构可以沿第一方向延伸，连接到字线切割结构，并且限定第一块区域和第二块区域。块切割结构可以包括连接到字线切割结构的第一部分和连接到第一部分的第二部分。从平面的角度看，第一部分可以包括在第一方向上不与第二部分重叠的至少一部分和在第一方向上不与字线切割结构重叠的至少一个区域。