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公开(公告)号：CN119584545A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202410809783.1
申请日：2024-06-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及一种半导体器件和包括其的电子系统。该半导体器件可以包括：栅极堆叠，包括彼此交替堆叠的导电图案和层间绝缘图案；被栅极堆叠围绕的沟道层；围绕沟道层的存储层；电连接到沟道层的源极结构；以及在存储层和源极结构之间的绝缘图案。存储层和源极结构彼此间隔开，绝缘图案与沟道层、存储层和源极结构接触。
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公开(公告)号：CN115968204A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211212279.0
申请日：2022-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体存储器装置可包括：单元衬底，其包括单元阵列区和延伸区；单元衬底上的第一模制结构；第一模制结构上的第二模制结构；穿过单元阵列区上的第一模制结构和第二模制结构的沟道结构；以及穿过延伸区上的第一模制结构和第二模制结构的单元接触结构。第一模制结构和第二模制结构分别包括按次序堆叠在单元阵列区上并且在延伸区上按照台阶方式堆叠的第一栅电极和第二栅电极。单元接触结构包括连接至第一栅电极之一的下导电图案、连接至第二栅电极之一的上导电图案和将下导电图案与上导电图案分离的绝缘图案。
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公开(公告)号：CN111199947B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN201911093382.6
申请日：2019-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/495
Abstract: 本发明提供一种扇出型半导体封装件。所述扇出型半导体封装件包括：半导体芯片；包封剂，覆盖所述半导体芯片；连接结构，设置在所述半导体芯片的下方；以及第一金属图案层和第二金属图案层，设置在所述半导体芯片的不同高度上，其中，所述第一金属图案层设置为电连接到诸如框架的电连接构件，设置用于封装件的通过经过所述第二金属图案层的路径的在竖直方向上的电连接。
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公开(公告)号：CN116264771A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202211597849.2
申请日：2022-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体存储器件可以包括：衬底，包括第一块区域和第二块区域；以及堆叠结构，包括交替地堆叠在衬底上的绝缘膜和栅电极。竖直沟道结构、字线切割结构和块切割结构可以穿透堆叠结构。字线切割结构可以沿第二方向延伸。块切割结构可以沿第一方向延伸，连接到字线切割结构，并且限定第一块区域和第二块区域。块切割结构可以包括连接到字线切割结构的第一部分和连接到第一部分的第二部分。从平面的角度看，第一部分可以包括在第一方向上不与第二部分重叠的至少一部分和在第一方向上不与字线切割结构重叠的至少一个区域。
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公开(公告)号：CN115910977A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210573794.5
申请日：2022-05-24
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金俊成
IPC: H01L23/498 , H01L23/538
Abstract: 一种半导体封装包括连接基板，位于封装基板上并且具有穿透其的开口。芯片堆叠位于封装基板上并且位于开口中。再分布层位于连接基板和芯片堆叠上。上半导体芯片位于再分布层的第一再分布焊盘上。外部端子位于封装基板的底表面上。芯片堆叠包括位于封装基板的基板焊盘上的第一半导体芯片、以及位于第一半导体芯片和再分布层的第二再分布焊盘上的第二半导体芯片。再分布层包括与上半导体芯片重叠的第一区和在上半导体芯片旁边的第二区。第一再分布焊盘位于第一区上。第二再分布焊盘位于第二区上。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN103227201B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201310007163.8
申请日：2013-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L21/6835 , H01L29/41758 , H01L29/41775 , H01L29/42384 , H01L29/66787 , H01L29/778 , H01L29/7831 , H01L2221/6835 , H01L2221/68363 , H01L2221/68381
Abstract: 本公开提供了晶体管及其制造方法。该晶体管可以包括：在基板上的栅极；沟道层，具有覆盖栅极的至少一部分的三维（3D）沟道区域；源极电极，接触沟道层的第一区域；以及漏极电极，接触沟道层的第二区域。
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公开(公告)号：CN102377878A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110235967.4
申请日：2011-08-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04M1/72597 , G06F3/04842 , G06F3/0488 , H04M1/72544 , H04M1/72563 , H04M2250/22
Abstract: 提供一种控制移动终端的通信设置的方法及其移动终端，所述方法包括：输出指示与移动终端有关的至少一个数据通信功能的操作状态的通信设置微件；接收用于改变所述操作状态的信号，其中，所述信号与输出的通信设置微件的一部分有关；根据所述信号改变所述至少一个数据通信功能中的至少一个的操作状态。
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公开(公告)号：CN119404532A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202380051048.2
申请日：2023-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了根据各种实施例的电子装置和电子装置的操作方法。电子装置包括通信电路和可操作地连接到通信电路的处理器，其中处理器被配置为：生成与扫描有关的第一配置信息，以发现用于由包括在邻近感知网络（NAN）簇中的电子装置600和第一外部电子装置803进行簇合并的另一簇；控制通信电路将第一配置信息发送到第一外部电子装置；控制通信电路基于第一配置信息执行用于发现由属于另一簇的外部电子装置广播的信号的扫描操作；基于发现另一簇，向第一外部电子装置发送与另一簇有关的信息；以及执行用于合并到另一簇中的一系列操作，其中，第一配置信息可以被配置为使得电子装置执行扫描的时间点与第一外部电子装置执行扫描的时间点不同。其它各种实施例是可能的。
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公开(公告)号：CN111199937B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN201911133387.7
申请日：2019-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/31
Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件可包括：框架，具有腔并包括将框架的第一表面和第二表面彼此连接的布线结构；第一连接结构，位于框架的第二表面上并包括连接到布线结构的第一重新分布层；半导体芯片，在腔内位于第一连接结构上并具有连接到第一重新分布层的连接垫；包封剂，包封半导体芯片，覆盖框架的第一表面，并且具有与布线结构的上表面基本共面的上表面；以及第二连接结构，包括设置在包封剂和布线结构的上表面上的绝缘层、位于绝缘层上的第二重新分布层以及穿透绝缘层并将布线结构和第二重新分布层连接的过孔。
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