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公开(公告)号：CN107799464A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710794636.1
申请日：2017-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L23/528 , H01L23/532 , H01L23/535 , H01L29/423 , H01L29/45
CPC classification number: H01L21/76862 , H01L21/76805 , H01L21/76816 , H01L21/76843 , H01L21/76876 , H01L21/76895 , H01L23/485 , H01L23/528 , H01L23/53209 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53252 , H01L23/53266 , H01L23/535 , H01L29/4236 , H01L21/76877 , H01L23/5283 , H01L29/45
Abstract: 公开了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底；在所述衬底上的绝缘层，所述绝缘层中包括有第一沟槽和第二沟槽，所述第二沟槽的深宽比小于所述第一沟槽的深宽比；在第一沟槽和第二沟槽中的阻挡层；在所述第一沟槽和所述第二沟槽中的所述阻挡层上的籽晶层；在籽晶层上并填充在第一沟槽中的第一体层；和在籽晶层上并填充在第二沟槽中的第二体层，其中第二体层的平均晶粒大小大于第一体层的平均晶粒大小。
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公开(公告)号：CN110739304B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN201910182956.0
申请日：2019-03-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/07 , H01L21/8234
Abstract: 提供半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括：基底，包括第一区域和第二区域；有源栅极结构，位于第一区域中的基底上；虚设栅极结构，位于第二区域中的基底上；源极/漏极，在有源栅极结构的相对侧中的每个处位于第一区域中的基底上；多个第一导电接触件，分别连接到有源栅极结构和源极/漏极；电阻结构，位于第二区域中的虚设栅极结构上；多个第二导电接触件，分别连接到所述多个第一导电接触件和电阻结构；蚀刻停止层，位于虚设栅极结构与电阻结构之间。蚀刻停止层包括由不同的材料形成的下蚀刻停止层和上蚀刻停止层。
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公开(公告)号：CN107799464B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN201710794636.1
申请日：2017-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L23/528 , H01L23/532 , H01L23/535 , H01L29/423 , H01L29/45
Abstract: 公开了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底；在所述衬底上的绝缘层，所述绝缘层中包括有第一沟槽和第二沟槽，所述第二沟槽的深宽比小于所述第一沟槽的深宽比；在第一沟槽和第二沟槽中的阻挡层；在所述第一沟槽和所述第二沟槽中的所述阻挡层上的籽晶层；在籽晶层上并填充在第一沟槽中的第一体层；和在籽晶层上并填充在第二沟槽中的第二体层，其中第二体层的平均晶粒大小大于第一体层的平均晶粒大小。
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公开(公告)号：CN119922972A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411025594.1
申请日：2024-07-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体器件，其包括：第一源极/漏极区；以及在第一源极/漏极区的第一部分上的第一接触结构；以及在第一源极/漏极区的第二部分上的第二接触结构，其中第一接触结构和第二接触结构中的至少一个被配置为将第一源极/漏极区连接到用于信号路由的另一电路元件或电压源。
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公开(公告)号：CN118538732A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410189345.X
申请日：2024-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L23/48 , H01L23/528 , H01L23/522 , H01L21/768 , H01L21/822 , H01L21/8234
Abstract: 本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：至少一个晶体管，包括源极/漏极区和第一栅极结构；在第一栅极结构下方的接触隔离层；以及连接到第一源极/漏极区中的至少一个的背面接触插塞，其中背面接触插塞形成在第一源极/漏极区下方并延伸到第一栅极结构下方的区域，并且通过接触隔离层与第一栅极结构隔离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118053875A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311511787.3
申请日：2023-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 提供了一种三维堆叠场效应晶体管(3DSFET)器件和制造其的方法。该3DSFET器件包括：在衬底上的第一源极/漏极区和在第一源极/漏极区上的第二源极/漏极区；以及在第一源极/漏极区上的第一源极/漏极接触结构和在第二源极/漏极区上的第二源极/漏极接触结构，其中第二源极/漏极区通过中间层结构与第一源极/漏极区隔离，以及其中间隔物在第一源极/漏极接触结构和第二源极/漏极接触结构之间形成在第二源极/漏极接触结构的侧壁的上部处。
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公开(公告)号：CN119967902A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411509442.9
申请日：2024-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了堆叠场效应晶体管（FET）装置及相关制造方法。堆叠FET装置包括具有下沟道层和在下沟道层之间的下逸出功金属（WFM）层的下FET。堆叠FET装置包括在下FET的顶部上的上FET。上FET具有上沟道层和在上沟道层之间的上WFM层。此外，堆叠FET装置包括在上WFM层上的绝缘覆盖层。
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公开(公告)号：CN118969795A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410585490.X
申请日：2024-05-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , G01R27/08 , H01L27/092 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L21/66
Abstract: 提供了半导体器件和用于测量半导体器件中的接触电阻的方法。该半导体器件包括：第一源极/漏极区；第二源极/漏极区，其上具有第二接触插塞；第三源极/漏极区；第二金属线，在第二接触插塞上，第二通路在第二金属线和第二接触插塞之间；以及第一附加金属线，在第二接触插塞上，第一附加通路在第一附加金属线和第二接触插塞之间，其中第二源极/漏极区设置在第一源极/漏极区和第三源极/漏极区之间并且连接到第一源极/漏极区和第三源极/漏极区，以及其中第二金属线和第一附加金属线在第二接触插塞上在第二水平方向上彼此间隔开第一预定距离。
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公开(公告)号：CN118866902A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410496616.6
申请日：2024-04-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/085 , H01L21/8234
Abstract: 提供了集成电路装置及其形成方法。集成电路装置可以包括衬底上的晶体管。晶体管可以包括：彼此间隔开的一对薄半导体层；在所述一对薄半导体层之间的沟道区；在所述一对薄半导体层和所述沟道区上的栅电极；以及栅极绝缘体，将所述栅电极与所述一对薄半导体层和所述沟道区两者分离。沟道区的侧表面可以相对于所述一对薄半导体层的侧表面凹陷，并且可以在所述一对薄半导体层之间限定凹槽。栅极绝缘体的一部分和/或栅电极的一部分可以在凹槽中。
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