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公开(公告)号：CN107527816B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201710446932.2
申请日：2017-06-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/417
Abstract: 提供了一种用于对鳍式场效应晶体管器件的源极‑漏极结构形成低寄生电容接触件的方法。在一些实施例中所述方法包括将长沟槽向下刻蚀至源极‑漏极结构，沟槽足够长以延伸横跨器件的所有源极‑漏极区。导电层形成在源极‑漏极结构上，沟槽填充有第一填充材料。第二、较窄沟槽沿第一沟槽的长度的一部分开口，并且填充有第二填充材料。第一填充材料可以是导电的，并且可以形成所述接触件。如果第一填充材料不是导电的，则第三沟槽可以在第一沟槽的未填充有第二填充材料的部分中开口，并且填充有导电材料以形成所述接触件。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN106711120A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201610972556.6
申请日：2016-11-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L23/5286 , H01L21/76895 , H01L21/76897 , H01L23/485 , H01L23/535 , H01L27/11582 , H01L28/00 , H01L29/0665 , H01L29/785 , H01L23/50 , H01L21/4885
Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：基底；电源轨，位于基底上；有源层，位于基底上并与电源轨位于同一层处；以及接触件，将电源轨电连接到有源层。有源层包括源极端子/漏极端子。
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公开(公告)号：CN106571304B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201610210080.2
申请日：2016-04-06
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 乔治·A·吉尔 , 咖尼时·海德 , 沃克·森古皮塔 , 伯纳·J·欧博阿多威 , 马克·S·荣德
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/768
Abstract: 提供了形成半导体器件的方法。所述方法可以包括：在基底上形成多个鳍形沟道；形成横跨所述多个鳍形沟道的栅极结构；形成与栅极结构的一侧相邻的源极/漏极。源极/漏极可以横跨所述多个鳍形沟道并可以电连接到所述多个鳍形沟道。所述方法还可以包括：在源极/漏极的上表面上形成金属层以及在金属层上与源极/漏极相对地形成导电接触件。导电接触件在金属层的纵向方向上的第一长度可以比金属层在金属层的纵向方向上的第二长度小。
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公开(公告)号：CN107527816A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710446932.2
申请日：2017-06-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/417
CPC classification number: H01L21/76879 , H01L21/28518 , H01L21/76846 , H01L21/76855 , H01L21/76897 , H01L23/485 , H01L29/785 , H01L29/66795 , H01L29/41791
Abstract: 提供了一种用于对鳍式场效应晶体管器件的源极-漏极结构形成低寄生电容接触件的方法。在一些实施例中所述方法包括将长沟槽向下刻蚀至源极-漏极结构，沟槽足够长以延伸横跨器件的所有源极-漏极区。导电层形成在源极-漏极结构上，沟槽填充有第一填充材料。第二、较窄沟槽沿第一沟槽的长度的一部分开口，并且填充有第二填充材料。第一填充材料可以是导电的，并且可以形成所述接触件。如果第一填充材料不是导电的，则第三沟槽可以在第一沟槽的未填充有第二填充材料的部分中开口，并且填充有导电材料以形成所述接触件。
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公开(公告)号：CN106571304A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610210080.2
申请日：2016-04-06
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 乔治·A·吉尔 , 咖尼时·海德 , 沃克·森古皮塔 , 伯纳·J·欧博阿多威 , 马克·S·荣德
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/768
CPC classification number: H01L29/665 , H01L21/28512 , H01L21/28518 , H01L21/76843 , H01L23/485 , H01L29/165 , H01L29/41725 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/7848 , H01L29/66477 , H01L21/28 , H01L21/768 , H01L21/76838
Abstract: 提供了形成半导体器件的方法。所述方法可以包括：在基底上形成多个鳍形沟道；形成横跨所述多个鳍形沟道的栅极结构；形成与栅极结构的一侧相邻的源极/漏极。源极/漏极可以横跨所述多个鳍形沟道并可以电连接到所述多个鳍形沟道。所述方法还可以包括：在源极/漏极的上表面上形成金属层以及在金属层上与源极/漏极相对地形成导电接触件。导电接触件在金属层的纵向方向上的第一长度可以比金属层在金属层的纵向方向上的第二长度小。
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