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公开(公告)号：CN107393937B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201710284843.2
申请日：2017-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种发光器件封装包括：单元阵列，包括多个半导体发光单元，并且具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，所述多个半导体发光单元中的每一个具有依次堆叠的第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层。所述发光器件封装还可以包括：多个波长转换单元，设置在单元阵列的第一表面上，以分别对应于所述多个半导体发光单元，每个波长转换单元被配置为将由所述多个半导体发光单元中的相应半导体发光单元发射的一定波长的光转换为不同波长的光；分隔结构，设置在所述多个波长转换单元之间的空间中；以及多个开关单元，在所述分隔结构内与所述多个波长转换单元间隔开，并且电连接到所述多个半导体发光单元。
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公开(公告)号：CN107342352B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201710217743.8
申请日：2017-04-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/38 , H01L33/08 , H01L33/00 , H01L25/075 , G09F9/33
Abstract: 一种LED光源模块包括发光堆叠体，以及穿过发光堆叠体的一部分的第一穿通电极结构和第二穿通电极结构。发光堆叠体包括：基础绝缘层；顺序堆叠在基础绝缘层上的发光层，发光层的每个包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和设置在第一导电类型半导体层与第二导电类型半导体层之间的有源层；以及设置在发光层之间的层间绝缘层。第一穿通电极结构连接到发光层的每个的第一导电类型半导体层，第二穿通电极结构连接到发光层的每个的第二导电类型半导体层中的任一个或任何组合。
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公开(公告)号：CN106486587B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201610729750.1
申请日：2016-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/60 , H01L25/0753 , H01L33/06 , H01L33/145 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/44 , H01L33/50 , H01L33/502 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种发光二极管，其包括发光结构、发光结构上的光学波长转换层和光学波长转换层上的光学滤波器层。发光结构包括第一导电类型的半导体层、第一导电类型的半导体层上的有源层和有源层上的第二导电类型的半导体层，并且发射具有第一峰值波长的第一光。光学波长转换层吸收从发光结构发射的第一光，并且发射具有与第一峰值波长不同的第二峰值波长的第二光。光学滤波器层反射从发光结构发射的第一光，并且透射从光学波长转换层发射的第二光。
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公开(公告)号：CN107026225A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610825789.3
申请日：2016-09-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光装置，该半导体发光装置包括：发光结构，其包括第一导电类型的半导体层、有源层和第二导电类型的半导体层；以及发光结构上的磁层。磁层可具有平行于有源层的上表面的至少一个磁化方向。磁层可产生平行于有源层的上表面的磁场。磁层可包括可具有不同的磁化方向的多个结构。在发光结构上可包括多个磁层。磁层可位于接触电极上。磁层可与焊盘电极隔离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106486587A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610729750.1
申请日：2016-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/60 , H01L25/0753 , H01L33/06 , H01L33/145 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/44 , H01L33/50 , H01L33/502 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L27/156 , H01L33/58
Abstract: 本发明提供了一种发光二极管，其包括发光结构、发光结构上的光学波长转换层和光学波长转换层上的光学滤波器层。发光结构包括第一导电类型的半导体层、第一导电类型的半导体层上的有源层和有源层上的第二导电类型的半导体层，并且发射具有第一峰值波长的第一光。光学波长转换层吸收从发光结构发射的第一光，并且发射具有与第一峰值波长不同的第二峰值波长的第二光。光学滤波器层反射从发光结构发射的第一光，并且透射从光学波长转换层发射的第二光。
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公开(公告)号：CN109962081B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN201811207297.3
申请日：2018-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/15
Abstract: 一种发光器件封装包括：第一波长转换部和第二波长转换部，转换入射光的波长以提供具有转换波长的光；透光分隔结构，沿着厚度方向沿着第一波长转换部和第二波长转换部的侧表面延伸，以将第一波长转换部和第二波长转换部沿着与厚度方向相交的方向分离；以及包括第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件的单元阵列，沿着厚度方向分别与第一波长转换部、第二波长转换部和透光分隔结构重叠。
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公开(公告)号：CN109121318B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201810635217.8
申请日：2018-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请提供一种芯片安装方法，包括：提供第一衬底，所述第一衬底包括具有第一表面和第二表面的透光衬底、提供在第一表面上的牺牲层、以及接合到牺牲层的多个芯片；通过测试所述芯片来获得第一映射数据，所述第一映射数据定义所述芯片中的正常芯片和有缺陷的芯片的坐标；将第二衬底布置在第一表面下方；基于第一映射数据，通过向牺牲层的与正常芯片的坐标对应的位置处辐射第一激光束以移除牺牲层的一部分，从而将正常芯片与透光衬底分离，来将正常芯片布置在所述第二基底上；并且通过向第二衬底的焊料层辐射第二激光束而将正常芯片安装在第二衬底上。
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公开(公告)号：CN108695355B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN201810234077.3
申请日：2018-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体发光装置包括：多个发光单元，其包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和第一导电类型半导体层与第二导电类型半导体层之间的有源层；绝缘层，其位于所述多个发光单元上，并且在所述多个发光单元中的每一个中，绝缘层具有第一开口和第二开口，所述第一开口和第二开口分别限定第一导电类型半导体层的第一接触区和第二导电类型半导体层的第二接触区；连接电极，其位于绝缘层上，并且将第一接触区与第二接触区连接，以将所述多个发光单元彼此电连接；透明支承衬底，其位于绝缘层和连接电极上；以及透明键合层，其位于绝缘层与透明支承衬底之间。
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公开(公告)号：CN110993634A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201910643479.3
申请日：2019-07-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体发光器件包括：多个发光结构；隔离层，其覆盖多个发光结构的侧表面并将多个发光结构彼此绝缘；分隔层，其形成在隔离层上；第一保护层，其覆盖多个发光结构的顶表面和分隔层的侧壁；反射层，其覆盖第一保护层并设置在分隔层的侧壁上；以及第二保护层，其覆盖反射层。
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