公开(公告)号：CN109560080A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201811085098.X

申请日：2018-09-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪炯硕 ,  金硕埙 ,  李仁熙 ,  李惠兰

IPC: H01L27/092 ,  H01L27/108

Abstract: 所提供的半导体器件可以包括具有NMOS区和PMOS区的衬底，以及在NMOS区中的第一晶体管，该第一晶体管包括第一栅极堆叠和在第一栅极堆叠的至少一侧上的第一源极/漏极区。该半导体器件还可以包括在PMOS区中的第二晶体管，该第二晶体管包括第二栅极堆叠和在第二栅极堆叠的至少一侧上的第二源极/漏极区。第一栅极堆叠可以包括可以顺序层叠的第一绝缘膜、第一厚度的第一栅电极层、附加栅电极层、以及第一硅层。第二栅极堆叠可以包括可以顺序层叠的第二绝缘膜、大于第一厚度的第二厚度的第四栅电极层、附加栅电极层和第二硅层。

公开(公告)号：CN101728329B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN200910206176.1

申请日：2009-10-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 玄尚镇 ,  崔时荣 ,  申裕均 ,  徐康一 ,  赵学柱 ,  罗勋奏 ,  李晓山 ,  朴全雄 ,  李惠兰 ,  洪炯硕

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/43

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823857

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。该方法可以包括在衬底上形成金属氧化物层和在该金属氧化物层上形成牺牲氧化物层。在衬底上执行退火工艺。在退火工艺的工艺温度下，牺牲氧化物层的生成自由能大于金属氧化物层的生成自由能。

公开(公告)号：CN101728329A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910206176.1

申请日：2009-10-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 玄尚镇 ,  崔时荣 ,  申裕均 ,  徐康一 ,  赵学柱 ,  罗勋奏 ,  李晓山 ,  朴全雄 ,  李惠兰 ,  洪炯硕

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/43

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823857

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。该方法可以包括在衬底上形成金属氧化物层和在该金属氧化物层上形成牺牲氧化物层。在衬底上执行退火工艺。在退火工艺的工艺温度下，牺牲氧化物层的生成自由能大于金属氧化物层的生成自由能。