公开(公告)号：CN112593189A

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN202011020907.6

申请日：2020-09-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正宪 ,  金晥均 ,  金硕埙 ,  郑峻昊

IPC: C23C14/22

Abstract: 本公开提供了离子束沉积装置以及具有其的沉积系统。一种离子束沉积装置包括：用于固定基板的基板组件；相对于基板组件倾斜的靶组件，该靶组件包括具有沉积材料的靶；离子枪，用于将离子束喷射到靶上，使得沉积材料的离子朝向基板组件释放以在基板上形成薄层；以及基板加热器，用于将基板加热到高于室温的沉积温度。

公开(公告)号：CN116600568A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202310070178.2

申请日：2023-01-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孔榠浒 ,  金硕埙 ,  赵训

IPC: H10B43/20

Abstract: 一种竖直半导体装置包括绝缘图案、沟道结构、第一金属图案结构和第二金属图案。绝缘图案在竖直方向上彼此间隔开。每个绝缘图案在平行于衬底的上表面的第一方向上延伸。沟道结构穿过绝缘图案。第一金属图案结构包括至少一种第一金属材料，并且在第一方向上延伸。第一金属图案结构位于竖直方向上的相邻绝缘图案之间的间隙中，并且第一金属图案结构位于间隙的中心部分处。第二金属图案包括与至少一种第一金属材料不同的金属材料，第二金属图案可在第一金属图案结构的相对侧壁上，以填充间隙的其余部分。

公开(公告)号：CN109560080A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201811085098.X

申请日：2018-09-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪炯硕 ,  金硕埙 ,  李仁熙 ,  李惠兰

IPC: H01L27/092 ,  H01L27/108

Abstract: 所提供的半导体器件可以包括具有NMOS区和PMOS区的衬底，以及在NMOS区中的第一晶体管，该第一晶体管包括第一栅极堆叠和在第一栅极堆叠的至少一侧上的第一源极/漏极区。该半导体器件还可以包括在PMOS区中的第二晶体管，该第二晶体管包括第二栅极堆叠和在第二栅极堆叠的至少一侧上的第二源极/漏极区。第一栅极堆叠可以包括可以顺序层叠的第一绝缘膜、第一厚度的第一栅电极层、附加栅电极层、以及第一硅层。第二栅极堆叠可以包括可以顺序层叠的第二绝缘膜、大于第一厚度的第二厚度的第四栅电极层、附加栅电极层和第二硅层。

公开(公告)号：CN113140572B

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202110061098.1

申请日：2021-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正吉 ,  金硕埙 ,  朴成明 ,  李赞扬 ,  朴皓年

IPC: H10B43/00 ,  H10B43/40 ,  H10B43/20 ,  H01L23/535

Abstract: 一种布线结构包括衬底上的第一金属图案至第三金属图案。第一金属图案在第二方向上延伸，并且在第三方向上具有第一宽度。第二金属图案在第三方向上延伸以与第一金属图案交叉，并且在第二方向上具有第二宽度。第三金属图案在第一金属图案和第二金属图案彼此交叉的区域处连接到第一金属图案和第二金属图案，并且具有在每个角中具有凹部的实质上矩形形状。第三金属图案具有第三宽度，其被定义为凹部中的在与第二方向和第三方向成锐角的第四方向上的相对的凹部之间的最小距离，第三宽度小于或等于第一宽度和第二宽度中更小的一个。

公开(公告)号：CN113140572A

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202110061098.1

申请日：2021-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正吉 ,  金硕埙 ,  朴成明 ,  李赞扬 ,  朴皓年

IPC: H01L27/11563 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11578 ,  H01L23/535

Abstract: 一种布线结构包括衬底上的第一金属图案至第三金属图案。第一金属图案在第二方向上延伸，并且在第三方向上具有第一宽度。第二金属图案在第三方向上延伸以与第一金属图案交叉，并且在第二方向上具有第二宽度。第三金属图案在第一金属图案和第二金属图案彼此交叉的区域处连接到第一金属图案和第二金属图案，并且具有在每个角中具有凹部的实质上矩形形状。第三金属图案具有第三宽度，其被定义为凹部中的在与第二方向和第三方向成锐角的第四方向上的相对的凹部之间的最小距离，第三宽度小于或等于第一宽度和第二宽度中更小的一个。