公开(公告)号：CN110797345A

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201910530079.1

申请日：2019-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜信焕 ,  沈善一 ,  玄升

IPC: H01L27/11556 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11529

Abstract: 提供了一种垂直存储器件，其包括：多个第一栅电极，在衬底的单元区域上堆叠，并在基本垂直于衬底的上表面的垂直方向上彼此间隔开；沟道，延伸穿过所述多个第一栅电极并且在垂直方向上延伸；第一接触插塞结构，与所述多个第一栅电极中的相应的第一栅电极接触，在垂直方向上延伸，并且包括第一金属图案、覆盖第一金属图案的下表面和侧壁的第一阻挡图案以及覆盖第一阻挡图案的下表面和侧壁的第一金属硅化物图案；以及第二接触插塞结构，在衬底的外围电路区域上沿垂直方向延伸，并且包括第二金属图案以及覆盖第二金属图案的下表面和侧壁的第二阻挡图案。

公开(公告)号：CN110797345B

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN201910530079.1

申请日：2019-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜信焕 ,  沈善一 ,  玄升

IPC: H10B41/27 ,  H10B41/35 ,  H10B41/41

Abstract: 提供了一种垂直存储器件，其包括：多个第一栅电极，在衬底的单元区域上堆叠，并在基本垂直于衬底的上表面的垂直方向上彼此间隔开；沟道，延伸穿过所述多个第一栅电极并且在垂直方向上延伸；第一接触插塞结构，与所述多个第一栅电极中的相应的第一栅电极接触，在垂直方向上延伸，并且包括第一金属图案、覆盖第一金属图案的下表面和侧壁的第一阻挡图案以及覆盖第一阻挡图案的下表面和侧壁的第一金属硅化物图案；以及第二接触插塞结构，在衬底的外围电路区域上沿垂直方向延伸，并且包括第二金属图案以及覆盖第二金属图案的下表面和侧壁的第二阻挡图案。