公开(公告)号：CN109494236B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN201811055002.5

申请日：2018-09-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴基喆 ,  金基雄 ,  石瀚率 ,  权炳昊 ,  尹普彦

IPC: H10B61/00 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

Abstract: 一种半导体存储器件可以包括在半导体衬底上的选择晶体管、覆盖选择晶体管的层间绝缘层、联接到选择晶体管的漏极区域并构造为穿透层间绝缘层的下接触插塞、以及联接到下接触插塞的磁隧道结图案。下接触插塞可以包括金属图案以及与金属图案的顶表面接触的盖金属图案。盖金属图案可以包括具有比金属图案的顶表面的表面粗糙度小的表面粗糙度的顶表面。磁隧道结图案可以包括底电极和顶电极、在顶电极与底电极之间的下磁层和上磁层、以及在下磁层与上磁层之间的隧道势垒层。

公开(公告)号：CN109494236A

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201811055002.5

申请日：2018-09-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴基喆 ,  金基雄 ,  石瀚率 ,  权炳昊 ,  尹普彦

IPC: H01L27/22 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

Abstract: 一种半导体存储器件可以包括在半导体衬底上的选择晶体管、覆盖选择晶体管的层间绝缘层、联接到选择晶体管的漏极区域并构造为穿透层间绝缘层的下接触插塞、以及联接到下接触插塞的磁隧道结图案。下接触插塞可以包括金属图案以及与金属图案的顶表面接触的盖金属图案。盖金属图案可以包括具有比金属图案的顶表面的表面粗糙度小的表面粗糙度的顶表面。磁隧道结图案可以包括底电极和顶电极、在顶电极与底电极之间的下磁层和上磁层、以及在下磁层与上磁层之间的隧道势垒层。