半导体存储器件
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109494236A

    公开(公告)日:2019-03-19

    申请号:CN201811055002.5

    申请日:2018-09-11

    Abstract: 一种半导体存储器件可以包括在半导体衬底上的选择晶体管、覆盖选择晶体管的层间绝缘层、联接到选择晶体管的漏极区域并构造为穿透层间绝缘层的下接触插塞、以及联接到下接触插塞的磁隧道结图案。下接触插塞可以包括金属图案以及与金属图案的顶表面接触的盖金属图案。盖金属图案可以包括具有比金属图案的顶表面的表面粗糙度小的表面粗糙度的顶表面。磁隧道结图案可以包括底电极和顶电极、在顶电极与底电极之间的下磁层和上磁层、以及在下磁层与上磁层之间的隧道势垒层。

    利用罗盘确定地磁场及由此确定方位角的方法和装置

    公开(公告)号:CN1680780A

    公开(公告)日:2005-10-12

    申请号:CN200510074155.0

    申请日:2005-02-04

    CPC classification number: G01C17/30 G01C17/38

    Abstract: 本发明提供了一种利用罗盘确定地磁场的方法和装置和一种利用所述确定地磁场的方法和装置来确定移动物体的方位角的方法和装置。利用罗盘确定地磁场的方法包括:定义用来确定有效地磁区域的可容许磁场范围;利用罗盘计算地磁场有效性测试区域中的磁场的幅度;和如果磁场的幅度在可容许磁场范围内,则确定地磁场有效性测试区域是有效地磁区域,而如果磁场的幅度不在可容许磁场范围内,则确定施加了外部磁场干扰。因此,由于外部磁场干扰引起的罗盘的方位角的误差能被确定,因此准确地检测罗盘的有效方位角是可能的。此外,由于基于罗盘检测的磁场的变化来确定可容许磁场范围胜于简单地比较磁场和地磁场的传统方法,因此准确地确定地磁场是可能的。

    半导体存储器件
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109494236B

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN201811055002.5

    申请日:2018-09-11

    Abstract: 一种半导体存储器件可以包括在半导体衬底上的选择晶体管、覆盖选择晶体管的层间绝缘层、联接到选择晶体管的漏极区域并构造为穿透层间绝缘层的下接触插塞、以及联接到下接触插塞的磁隧道结图案。下接触插塞可以包括金属图案以及与金属图案的顶表面接触的盖金属图案。盖金属图案可以包括具有比金属图案的顶表面的表面粗糙度小的表面粗糙度的顶表面。磁隧道结图案可以包括底电极和顶电极、在顶电极与底电极之间的下磁层和上磁层、以及在下磁层与上磁层之间的隧道势垒层。

    利用罗盘确定地磁场及由此确定方位角的方法和装置

    公开(公告)号:CN1680780B

    公开(公告)日:2010-06-09

    申请号:CN200510074155.0

    申请日:2005-02-04

    CPC classification number: G01C17/30 G01C17/38

    Abstract: 本发明提供了一种利用罗盘确定地磁场的方法和装置和一种利用所述确定地磁场的方法和装置来确定移动物体的方位角的方法和装置。利用罗盘确定地磁场的方法包括:定义用来确定有效地磁区域的可容许磁场范围;利用罗盘计算地磁场有效性测试区域中的磁场的幅度;和如果磁场的幅度在可容许磁场范围内,则确定地磁场有效性测试区域是有效地磁区域,而如果磁场的幅度不在可容许磁场范围内,则确定施加了外部磁场干扰。因此,由于外部磁场干扰引起的罗盘的方位角的误差能被确定,因此准确地检测罗盘的有效方位角是可能的。此外,由于基于罗盘检测的磁场的变化来确定可容许磁场范围胜于简单地比较磁场和地磁场的传统方法,因此准确地确定地磁场是可能的。

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