公开(公告)号：CN119842402A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202411449104.0

申请日：2024-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 咸喆 ,  姜炳俊 ,  高基淏 ,  金圣玟 ,  朴美贤 ,  朴仁仙 ,  裵珍惠 ,  李锦喜 ,  赵旻炯 ,  黄圭荣

IPC: C09K13/00 ,  H01L21/768

Abstract: 提供蚀刻组合物、通过使用其蚀刻含金属的膜的方法和通过使用其制造半导体器件的方法。所述蚀刻组合物可包括氧化剂、缓冲剂和选择性蚀刻抑制剂。所述选择性蚀刻抑制剂可包括由式1表示的第一化合物和不同于所述第一化合物的第二化合物。所述第二化合物可包括环。所述环可为吡唑基团、咪唑基团、三唑基团或四唑基团，或者所述环可为各自与苯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、或其任意组合稠合的吡唑基团、咪唑基团或三唑基团。式1的描述提供于本说明书中。式1#imgabs0#