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公开(公告)号：CN1653620A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN03810213.7
申请日：2003-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: G01Q60/30
Abstract: 本发明公开了一种利用自对准工艺制造具有场效应晶体管(FET)沟道结构的扫描探针显微镜(SPM)的探针的方法。所提供的方法包括：第一步骤，在衬底上形成第一形状的掩膜层，并在衬底中的除了由掩膜层所遮盖的区域以外的区域中形成源极区和漏极区；第二步骤，沿垂直于掩膜层的方向构图第一形状的光阻材料，并进行蚀刻工艺，以形成第二形状的掩膜层；以及第三步骤，蚀刻衬底中的除了由掩膜层遮盖的区域以外的区域以形成探针。所提供的方法将尖端的中心与源极区和漏极区之间存在的沟道中心对准，以实现数十纳米大小的尖端。从而，利用具有尖端的这种探针可以轻易制造纳米器件。
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公开(公告)号：CN100568478C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN03810407.5
申请日：2003-05-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01Q60/40 , G11B9/02 , G11B9/14 , G11B9/1409 , G11B9/1418 , G11B11/08
Abstract: 提出一种具有电阻尖端的半导体探针、制作半导体探针的方法以及使用半导体探针来记录和复制信息的方法。半导体探针包括尖端和悬臂梁。尖端掺杂有第一杂质。尖端位于悬臂梁的端部上。尖端包括电阻区域和第一、第二半导体电极区域。电阻区域位于尖端顶点，且轻度掺杂有不同于第一杂质的第二杂质。第一和第二半导体电极区域重度掺杂有第二杂质且与电阻区域接触。
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公开(公告)号：CN1459794A
公开(公告)日：2003-12-03
申请号：CN02155981.3
申请日：2002-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/22
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 提供了一种热稳定的铁电体存储器。该铁电体存储器包括：下部电极；和铁电体层，它形成于下部电极的顶表面上，使具有一介质偏振的定义域被设置为毕特。铁电体层的厚度不大于毕特的尺寸大小。相应地，提供了一种热稳定的、不易失的铁电体存储器，因此得到了一种可靠的存储器，该存储器可以高速、高密度地储存信息并且提高了存储保留。
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公开(公告)号：CN1801361A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200510124747.9
申请日：2002-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B9/10
CPC classification number: G11B9/10 , B82Y10/00 , G11B9/14 , G11B9/1409 , G11B9/1418 , G11B9/1463 , G11B11/115
Abstract: 本发明公开了一种数据记录/复制方法、采用该方法的数据记录系统以及用于该系统的介质。该方法包括步骤：制备具有数据记录层的介质，在该层中通过电子吸收产生相变；在离数据记录层预定间隔处，根据用于记录的数据，用电子发生源产生电子；在电子路径上形成磁场，并回旋加速移动电子；以及将回旋移动的电子发射到数据记录层上，以通过电子被数据记录层吸收而导致的局部熔化和冷却进行数据记录。在电子束碰撞数据记录层时微型尖端不接触数据记录层，因此不象传统AFM方法那样因微型尖端的消耗而造成损坏，且数据记录和复制速度快。电子束通过回旋加速汇聚到数据记录层上，于是可适当调节距离而使电子束到达的区域最小，使得数据记录密度最大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1237530C
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN02129754.1
申请日：2002-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B9/10
CPC classification number: G11B9/10 , B82Y10/00 , G11B9/14 , G11B9/1409 , G11B9/1418 , G11B9/1463 , G11B11/115
Abstract: 本发明公开了一种数据记录/复制方法、采用该方法的数据记录系统以及用于该系统的介质。该方法包括步骤：制备具有数据记录层的介质，在该层中通过电子吸收产生相变；在离数据记录层预定间隔处，根据用于记录的数据，用电子发生源产生电子；在电子路径上形成磁场，并回旋加速移动电子；以及将回旋移动的电子发射到数据记录层上，以通过电子被数据记录层吸收而导致的局部熔化和冷却进行数据记录。在电子束碰撞数据记录层时微型尖端不接触数据记录层，因此不象传统AFM方法那样因微型尖端的消耗而造成损坏，且数据记录和复制速度快。电子束通过回旋加速汇聚到数据记录层上，于是可适当调节距离而使电子束到达的区域最小，使得数据记录密度最大。
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公开(公告)号：CN100375295C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN03810213.7
申请日：2003-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: G01Q60/30
Abstract: 本发明公开了一种利用自对准工艺制造具有场效应晶体管(FET)沟道结构的扫描探针显微镜(SPM)的探针的方法。所提供的方法包括：第一步骤，在衬底上形成第一形状的掩膜层，并在衬底中的除了由掩膜层所遮盖的区域以外的区域中形成源极区和漏极区；第二步骤，沿垂直于掩膜层的方向构图第一形状的光阻材料，并进行蚀刻工艺，以形成第二形状的掩膜层；以及第三步骤，蚀刻衬底中的除了由掩膜层遮盖的区域以外的区域以形成探针。所提供的方法将尖端的中心与源极区和漏极区之间存在的沟道中心对准，以实现数十纳米大小的尖端。从而，利用具有尖端的这种探针可以轻易制造纳米器件。
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公开(公告)号：CN1301507C
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN02155981.3
申请日：2002-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/22
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 提供了一种热稳定的铁电体存储器。该铁电体存储器包括：下部电极；和铁电体层，它形成于下部电极的顶表面上，使具有一电介质极化的畴被设置为比特。铁电体层的厚度不大于比特的尺寸大小。相应地，提供了一种热稳定的、不易失的铁电体存储器，因此得到了一种可靠的存储器，该存储器可以高速、高密度地储存信息并且提高了存储保留。
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公开(公告)号：CN1653605A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN03810407.5
申请日：2003-05-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01Q60/40 , G11B9/02 , G11B9/14 , G11B9/1409 , G11B9/1418 , G11B11/08
Abstract: 提出一种具有电阻尖端的半导体探针、制作半导体探针的方法以及使用半导体探针来记录和复制信息的方法。半导体探针包括尖端和悬臂梁。尖端掺杂有第一杂质。尖端位于悬臂梁的端部上。尖端包括电阻区域和第一、第二半导体电极区域。电阻区域位于尖端顶点，且轻度掺杂有不同于第一杂质的第二杂质。第一和第二半导体电极区域重度掺杂有第二杂质且与电阻区域接触。
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公开(公告)号：CN1409311A
公开(公告)日：2003-04-09
申请号：CN02129754.1
申请日：2002-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B9/10
CPC classification number: G11B9/10 , B82Y10/00 , G11B9/14 , G11B9/1409 , G11B9/1418 , G11B9/1463 , G11B11/115
Abstract: 本发明公开了一种数据记录/复制方法、采用该方法的数据记录系统以及用于该系统的介质。该方法包括步骤：制备具有数据记录层的介质，在该层中通过电子吸收产生相变；在离数据记录层预定间隔处，根据用于记录的数据，用电子发生源产生电子；在电子路径上形成磁场，并回旋加速移动电子；以及将回旋移动的电子发射到数据记录层上，以通过电子被数据记录层吸收而导致的局部熔化和冷却进行数据记录。在电子束碰撞数据记录层时微型尖端不接触数据记录层，因此不象传统AFM方法那样因微型尖端的消耗而造成损坏，且数据记录和复制速度快。电子束通过回旋加速汇聚到数据记录层上，于是可适当调节距离而使电子束到达的区域最小，使得数据记录密度最大。
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