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公开(公告)号：CN1467311A
公开(公告)日：2004-01-14
申请号：CN03107258.5
申请日：2003-03-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/08 , C01G55/00 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/13 , C01P2004/64 , C30B25/00 , C30B29/605 , Y10S977/893
Abstract: 本发明提供一种利用碳纳米管(CNT)作为模板制备无机纳米管的方法。该方法包括制备其上形成CNT或CNT阵列的模板；利用原子层沉积法(ALD)通过在模板上沉积无机材料，于CNT上形成无机薄膜；及除去CNT，得到无机纳米管或无机纳米管阵列。
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公开(公告)号：CN1409311A
公开(公告)日：2003-04-09
申请号：CN02129754.1
申请日：2002-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B9/10
CPC classification number: G11B9/10 , B82Y10/00 , G11B9/14 , G11B9/1409 , G11B9/1418 , G11B9/1463 , G11B11/115
Abstract: 本发明公开了一种数据记录/复制方法、采用该方法的数据记录系统以及用于该系统的介质。该方法包括步骤：制备具有数据记录层的介质，在该层中通过电子吸收产生相变；在离数据记录层预定间隔处，根据用于记录的数据，用电子发生源产生电子；在电子路径上形成磁场，并回旋加速移动电子；以及将回旋移动的电子发射到数据记录层上，以通过电子被数据记录层吸收而导致的局部熔化和冷却进行数据记录。在电子束碰撞数据记录层时微型尖端不接触数据记录层，因此不象传统AFM方法那样因微型尖端的消耗而造成损坏，且数据记录和复制速度快。电子束通过回旋加速汇聚到数据记录层上，于是可适当调节距离而使电子束到达的区域最小，使得数据记录密度最大。
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公开(公告)号：CN1193430C
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN01122021.X
申请日：2001-06-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: G11C13/025 , B82Y10/00 , G11C2213/17 , H01L29/66439 , H01L29/775 , H01L51/0048 , H01L51/0508 , H01L51/057 , Y10S977/708 , Y10S977/723 , Y10S977/742 , Y10S977/843 , Y10S977/938
Abstract: 提供使用碳纳米管能够实现高密度集成，即万亿比特规模集成的竖直纳米尺寸晶体管，及其制造方法。在使用碳纳米管的竖直纳米尺寸晶体管中，具有几个纳米直径的孔形成在诸如间隔几个纳米的矾土的绝缘层中，以通过CVD，电泳或机械压缩，在纳米尺寸的孔中竖直排列碳纳米管，以用作沟道。而且，使用普通半导体制造方法，在碳纳米管附近形成栅，然后源和漏形成在每个碳纳米管的上下部分，从而制做出具有电子开关特征的竖直纳米尺寸晶体管。
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公开(公告)号：CN1437261A
公开(公告)日：2003-08-20
申请号：CN02130478.5
申请日：2002-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L21/8239
CPC classification number: B82Y10/00 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L29/42332 , H01L29/7881 , H01L29/7883 , Y10S977/943
Abstract: 本发明提供了一种用量子器件形成的存储器及其制造方法。存储器包括：一衬底；形成在该衬底上的一源极区和一漏极区，以彼此隔开一预定间隔；一存储单元，形成在该衬底的表面上以连接该源极区和该漏极区，并具有填充有用于储存电子的材料的多个纳米尺度的量子点；以及一控制栅极，该控制栅极形成在存储单元上，并控制储存在该存储单元中的电子数。通过提供具有纳米尺度的量子点的存储器及其制造方法，可以实现高效且高度集成的存储器。
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公开(公告)号：CN1407602A
公开(公告)日：2003-04-02
申请号：CN02144390.4
申请日：2002-06-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/00 , G03F7/20
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/16 , H01J3/022 , H01J2237/06341 , H01J2237/3175 , Y10S977/901
Abstract: 本发明提供了一种使用选择性生长的碳纳米管的电子发射光刻装置以及方法。该电子发射光刻装置将碳纳米管用作电子发射源，其包括：电子发射源，设置在一个腔室内；平台，以预定距离与电子发射源相隔，试样就安装在这个平台上。电子发射源是一个具有电子发射能力的碳纳米管。因此，因为用碳纳米管作为电子发射源，所以可以以精确的临界尺寸进行光刻处理。另外，由于从碳纳米管发出的电子减小了电子束抗蚀剂的与碳纳米管一一相对的部分，所以，可以防止衬底的中心和其边缘之间的偏差。因此，可以提供一种实现高产量的电子发射光刻装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1287459C
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN03128592.9
申请日：2003-02-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L21/8232
CPC classification number: B82Y10/00 , G11C13/025 , G11C2213/17 , Y10S977/943
Abstract: 本发明涉及一种采用碳纳米管的存储器件及其制造方法。该碳纳米管存储器件包括衬底、源极电极、漏极电极、碳纳米管、存储单元和栅极电极。源极电极与漏极电极其间有一预定间隔地设置在衬底上并被施以电压。碳纳米管将源极电极与漏极电极连接并用作电荷通道。存储单元位于碳纳米管的上方并存储来自碳纳米管的电荷。栅极电极形成得与存储单元的上表面接触并控制从碳纳米管流入存储单元的电荷量。如上所述，碳纳米管存储器件包括具有高电导率和高发射率的碳纳米管、以及具有良好电荷存储能力的存储单元，因而该存储器件能够作为一种无差错的，快速且高度集成的存储器件。
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公开(公告)号：CN1801361A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200510124747.9
申请日：2002-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B9/10
CPC classification number: G11B9/10 , B82Y10/00 , G11B9/14 , G11B9/1409 , G11B9/1418 , G11B9/1463 , G11B11/115
Abstract: 本发明公开了一种数据记录/复制方法、采用该方法的数据记录系统以及用于该系统的介质。该方法包括步骤：制备具有数据记录层的介质，在该层中通过电子吸收产生相变；在离数据记录层预定间隔处，根据用于记录的数据，用电子发生源产生电子；在电子路径上形成磁场，并回旋加速移动电子；以及将回旋移动的电子发射到数据记录层上，以通过电子被数据记录层吸收而导致的局部熔化和冷却进行数据记录。在电子束碰撞数据记录层时微型尖端不接触数据记录层，因此不象传统AFM方法那样因微型尖端的消耗而造成损坏，且数据记录和复制速度快。电子束通过回旋加速汇聚到数据记录层上，于是可适当调节距离而使电子束到达的区域最小，使得数据记录密度最大。
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公开(公告)号：CN1237530C
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN02129754.1
申请日：2002-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B9/10
CPC classification number: G11B9/10 , B82Y10/00 , G11B9/14 , G11B9/1409 , G11B9/1418 , G11B9/1463 , G11B11/115
Abstract: 本发明公开了一种数据记录/复制方法、采用该方法的数据记录系统以及用于该系统的介质。该方法包括步骤：制备具有数据记录层的介质，在该层中通过电子吸收产生相变；在离数据记录层预定间隔处，根据用于记录的数据，用电子发生源产生电子；在电子路径上形成磁场，并回旋加速移动电子；以及将回旋移动的电子发射到数据记录层上，以通过电子被数据记录层吸收而导致的局部熔化和冷却进行数据记录。在电子束碰撞数据记录层时微型尖端不接触数据记录层，因此不象传统AFM方法那样因微型尖端的消耗而造成损坏，且数据记录和复制速度快。电子束通过回旋加速汇聚到数据记录层上，于是可适当调节距离而使电子束到达的区域最小，使得数据记录密度最大。
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公开(公告)号：CN1193406C
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN02144390.4
申请日：2002-06-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/00 , G03F7/20
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/16 , H01J3/022 , H01J2237/06341 , H01J2237/3175 , Y10S977/901
Abstract: 本发明提供了一种使用选择性生长的碳纳米管的电子发射光刻装置以及方法。该电子发射光刻装置将碳纳米管用作电子发射源，其包括：电子发射源，设置在一个腔室内；平台，以预定距离与电子发射源相隔，试样就安装在这个平台上。电子发射源是一个具有电子发射能力的碳纳米管。该电子发射光刻装置还包括能够对碳纳米管发出的电子施以磁场的磁场发生器。因此，因为用碳纳米管作为电子发射源，所以可以以精确的临界尺寸进行光刻处理。另外，由于从碳纳米管发出的电子减小了电子束抗蚀剂的与碳纳米管一一相对的部分，所以，可以防止衬底的中心和其边缘之间的偏差。因此，可以提供一种实现高产量的电子发射光刻装置。
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公开(公告)号：CN1459815A
公开(公告)日：2003-12-03
申请号：CN03145424.0
申请日：2003-05-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C01B32/168 , C01B32/174 , C01B2202/22 , H01L51/0048 , H01L51/0512
Abstract: 提供了一种氢改性的半导体碳纳米管及其制备方法。加氢改性的半导体碳纳米管具有存在于碳原子与氢原子间的化学键。制备半导体碳纳米管的方法包括：在真空下加热碳纳米管；把氢气中的氢分子分解成氢原子；把碳纳米管暴露于氢气中，使碳纳米管的碳原子与氢原子间形成化学键。使用该方法，可以使得金属碳纳米管转化为半导体碳纳米管和使得较窄能量带隙的半导体碳纳米管转化为较宽能量带隙的半导体碳纳米管。加氢改性的半导体碳纳米管可以用于例如电子器件，光电器件，能量储存器件等。
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