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公开(公告)号：CN119905122A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202410680302.1
申请日：2024-05-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体存储器装置可以包括：第一芯片，其包括彼此相邻并且包括存储器单元的第一阵列矩阵和第二阵列矩阵；以及第二芯片，其位于第一芯片下方，并且包括被配置为驱动存储器单元的读出放大器，其中，第一单元位线位于第一阵列矩阵中，并且第二单元位线位于第二阵列矩阵中，其中，第一位线和第一互补位线位于第一阵列矩阵下方，并且第二位线和第二互补位线位于第二阵列矩阵下方，并且其中，第一位线和第二位线分别连接到第一单元位线和第二单元位线，第一互补位线和第二互补位线分别连接到第二单元位线和第一单元位线。
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