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公开(公告)号：CN119943102A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202410964722.2
申请日：2024-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器件，包括存储单元阵列、感测放大器、电压产生电路和控制电路。存储单元阵列包括：多条位线，连接到多个存储单元；以及屏蔽位线，布置在多条位线之间以及多条位线的下部上。感测放大器被配置为：感测并放大从多个存储单元之中选择的存储单元中存储的数据。电压产生电路被配置为：基于存储器件的电源电压来产生位线预充电电压和内部电源电压。控制电路被配置为：选择性地向屏蔽位线提供位线预充电电压或内部电源电压。
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公开(公告)号：CN117746944A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311102555.2
申请日：2023-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/408 , G11C11/4094 , G11C11/4091 , G11C11/4074
Abstract: 提供了具有外围上单元结构的存储器核心电路和存储器装置。所述存储器核心电路包括：(i)存储器单元阵列，在其中具有子单元阵列，以及(ii)核心控制电路，在其中具有子外围电路，使得每个子外围电路在对应的子单元阵列下方延伸。每个子单元阵列包括分别连接到字线和位线的存储器单元。每个子外围电路包括：子字线驱动器，被配置为驱动字线；位线感测放大器，被配置为感测位线的电压；行解码电路，被配置为控制子字线驱动器，以选择字线中的一条；电源电路，被配置为将电力供应到每个子外围电路；以及控制电路，被配置为控制每个子外围电路的操作。通过使用高效地提供核心控制电路的CoP结构，存储器核心电路的尺寸可被减小并且设计裕度可被增强。
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公开(公告)号：CN117457046A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202310779980.9
申请日：2023-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4074 , G11C11/4091
Abstract: 公开了包括感测放大器的存储器装置以及操作感测放大器的方法。一种操作位线感测放大器的方法可包括：通过将位线、互补位线、感测位线和互补感测位线充电到预充电电压执行正常预充电操作，通过将位线连接到感测位线、将互补位线连接到互补感测位线、将大于预充电电压的第一内部电压施加到P型感测放大器以及将小于预充电电压的第二内部电压施加到N型感测放大器来执行第一偏移补偿操作。通过在将第二内部电压施加到N型感测放大器的同时将预充电电压施加到P型感测放大器来执行第二偏移补偿操作。通过将位线与感测位线分离，将互补位线与互补感测位线分离，将感测位线连接到互补感测位线，将预充电电压施加到N型感测放大器执行位线偏移检测操作。
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公开(公告)号：CN119905122A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202410680302.1
申请日：2024-05-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体存储器装置可以包括：第一芯片，其包括彼此相邻并且包括存储器单元的第一阵列矩阵和第二阵列矩阵；以及第二芯片，其位于第一芯片下方，并且包括被配置为驱动存储器单元的读出放大器，其中，第一单元位线位于第一阵列矩阵中，并且第二单元位线位于第二阵列矩阵中，其中，第一位线和第一互补位线位于第一阵列矩阵下方，并且第二位线和第二互补位线位于第二阵列矩阵下方，并且其中，第一位线和第二位线分别连接到第一单元位线和第二单元位线，第一互补位线和第二互补位线分别连接到第二单元位线和第一单元位线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109001938A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810577370.X
申请日：2018-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/13357 , G02B6/00
Abstract: 一种显示装置包括显示面板以及多个光源模块，该多个光源模块与显示面板的后表面平行布置以朝向显示面板发射光，并且该多个光源模块设置为可独立地操作。多个光源模块包括：调制器，配置为引导光；光源，设置在调制器的后表面上以产生光；反射构件，在调制器的前表面上设置成与光源相对，并且配置为将所产生的光反射到调制器的内部或者后表面；以及光转换构件，设置在调制器的后表面上并且配置为转换由调制器引导的光的波长，该光转换构件以预定图案形状形成。
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公开(公告)号：CN118038921A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202311460490.9
申请日：2023-11-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器设备包括存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个字线和多个位线；多个列选择线，所述多个列选择线延伸到所述存储器单元阵列上并且包括所述存储器单元阵列的第一部分和连接到所述第一部分的第二部分；多个位线感测放大器，每个位线感测放大器连接到位线并且被配置为感测存储在存储器单元中的数据；多个本地感测放大器，每个本地感测放大器被配置为通过连接到本地列选择线的列选择晶体管来从所述位线感测放大器中的一个输出所感测的数据；控制逻辑电路，所述控制逻辑电路产生指示激活字线的行地址信号和指示激活位线的列地址信号；以及列译码器，所述列译码器基于所述列地址信号激活列选择线。
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公开(公告)号：CN109001938B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201810577370.X
申请日：2018-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/13357 , G02B6/00
Abstract: 一种显示装置包括显示面板以及多个光源模块，该多个光源模块与显示面板的后表面平行布置以朝向显示面板发射光，并且该多个光源模块设置为可独立地操作。多个光源模块包括：调制器，配置为引导光；光源，设置在调制器的后表面上以产生光；反射构件，在调制器的前表面上设置成与光源相对，并且配置为将所产生的光反射到调制器的内部或者后表面；以及光转换构件，设置在调制器的后表面上并且配置为转换由调制器引导的光的波长，该光转换构件以预定图案形状形成。
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公开(公告)号：CN115910150A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210915800.0
申请日：2022-08-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4091 , G11C11/4063
Abstract: 提供了位线感测放大器和半导体存储器装置。所述位线感测放大器包括：多个半导体器件，包括并排设置的感测晶体管和选择晶体管，并且所述多个半导体器件被配置为感测位线和互补位线的电压变化；和布线图案，连接到所述多个半导体器件中的至少一个。感测晶体管共享源电极。选择晶体管可被控制为互补地导通和截止。布线图案包括：第一布线图案，电连接感测晶体管的栅电极和选择晶体管的漏电极；和第二布线图案，电连接感测晶体管的栅电极和另一感测晶体管的漏电极。
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公开(公告)号：CN106842692A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201610390784.2
申请日：2016-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/13357 , G02B5/02
CPC classification number: G02F1/133606 , G02B5/021 , G02B5/0221 , G02B5/0257 , G02B5/0263 , G02B5/0278 , G02F1/133603 , G02F1/133605 , G02F1/133611 , G02F2001/133613 , G02B5/0289
Abstract: 提供一种显示设备，包括：显示面板；光源，配置为朝向显示面板发光；光漫射板，布置在显示面板与光源之间使得从光源发射的光漫射并引导至显示面板；以及设置在光漫射板上的至少一个光漫射层，其中该至少一个光漫射层具有与光源对应的光源对应部以及包括多个透光部，多个透光部设置为在光源对应部的边缘部处比在光源对应部的中央部处密度更大。
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