Patent search ap:("三星电子株式会社") AND inv:"郑旻基" Page 1

1.

发明公开
集成电路半导体器件审中-公开

公开(公告)号：CN119155987A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202410651686.4

申请日：2024-05-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩成奎 , 申宪宗 , 朴葰颖 , 李上羲 , 张在兰 , 郑旻基

IPC: H10B10/00

Abstract: 一种集成电路半导体器件，包括：基底层，包括第一表面和第二表面；栅极结构，在基底层的第一表面上；第一源漏区，在栅极结构的一侧上；第二源漏区，在栅极结构的另一侧上；第一占位部，在第一源漏区的下部中的基底层中，并且电连接到第一源漏区；第二占位部，在第二源漏区的下部中的基底层中；以及金属电力轨，在基底层的第二表面上的第一占位部和第二占位部上，并且电连接到第一占位部。

Patent Agency Ranking