公开(公告)号：CN110880447B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN201910552879.3

申请日：2019-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 山本薰 ,  金昌炫 ,  宋伣在 ,  申建旭 ,  申铉振 ,  安星柱 ,  李章熙 ,  李昌锡 ,  全基荣 ,  郑根吾

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  C23C16/458 ,  C23C16/513

Abstract: 提供了一种等离子体沉积方法和等离子体沉积设备，在所述等离子体沉积方法中，将基底装载到腔室内的基底台上。在与基底隔开第一距离的第一等离子体区域处产生第一等离子体。将第一工艺气体供应到第一等离子体区域以对基底执行预处理工艺。在与基底隔开与第一距离不同的第二距离的第二等离子体区域处产生第二等离子体。将第二工艺气体供应到第二等离子体区域以对基底执行沉积工艺。

公开(公告)号：CN110872698A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910724828.4

申请日：2019-08-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安星柱 ,  李全一 ,  山本薰 ,  李章熙 ,  全基荣 ,  郑根吾

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/50 ,  C23C16/04 ,  H01L21/67

Abstract: 一种半导体制造装置包括工艺室。隔热板将工艺室的内部空间分成第一空间和第二空间，并使第一空间与第二空间热隔离。气体供应部被配置为将工艺气体供应到第一空间。辐射器被配置为加热第一空间。载物台设置在第二空间内，并且载物台被配置为支撑基板。

公开(公告)号：CN114188305A

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202111031346.4

申请日：2021-09-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林炫锡 ,  赵玟赫 ,  卞卿溵 ,  申铉振 ,  山本薰 ,  尹祯秀 ,  李昭荣 ,  郑根吾

IPC: H01L23/532 ,  H01L29/45 ,  H01L27/108 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种布线结构和包括该布线结构的半导体器件。该布线结构包括在衬底上的包括掺杂多晶硅的第一导电图案、在第一导电图案上的包括金属硅化物的欧姆接触图案、在欧姆接触图案上的包括金属硅氮化物的防氧化图案、在防氧化图案上的包括石墨烯的扩散阻挡物、以及在扩散阻挡物上的包括金属的第二导电图案。

公开(公告)号：CN110872698B

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN201910724828.4

申请日：2019-08-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安星柱 ,  李全一 ,  山本薰 ,  李章熙 ,  全基荣 ,  郑根吾

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/50 ,  C23C16/04 ,  H01L21/67

Abstract: 一种半导体制造装置包括工艺室。隔热板将工艺室的内部空间分成第一空间和第二空间，并使第一空间与第二空间热隔离。气体供应部被配置为将工艺气体供应到第一空间。辐射器被配置为加热第一空间。载物台设置在第二空间内，并且载物台被配置为支撑基板。

公开(公告)号：CN110880447A

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201910552879.3

申请日：2019-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 山本薰 ,  金昌炫 ,  宋伣在 ,  申建旭 ,  申铉振 ,  安星柱 ,  李章熙 ,  李昌锡 ,  全基荣 ,  郑根吾

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  C23C16/458 ,  C23C16/513

Abstract: 提供了一种等离子体沉积方法和等离子体沉积设备，在所述等离子体沉积方法中，将基底装载到腔室内的基底台上。在与基底隔开第一距离的第一等离子体区域处产生第一等离子体。将第一工艺气体供应到第一等离子体区域以对基底执行预处理工艺。在与基底隔开与第一距离不同的第二距离的第二等离子体区域处产生第二等离子体。将第二工艺气体供应到第二等离子体区域以对基底执行沉积工艺。