公开(公告)号：CN119815870A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411407337.4

申请日：2024-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权俊荣 ,  金昌炫 ,  卞卿溵 ,  薛珉洙

IPC: H10D30/60 ,  H10D30/01 ,  H10D62/80

Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：第一沟道层和第二沟道层，在第一方向上彼此间隔开并且每个包括二维(2D)半导体材料；第一源电极，在第一沟道层和第二沟道层之间以同时与第一沟道层和第二沟道层接触；第一漏电极，在第一沟道层和第二沟道层之间以在垂直于第一方向的第二方向上与第一源电极间隔开并且同时与第一沟道层和第二沟道层接触；第一栅电极，布置在由第一源电极、第一漏电极、第一沟道层和第二沟道层围绕的第一内部空间中；以及第一栅极绝缘层，在第一内部空间中围绕第一栅电极。

公开(公告)号：CN117542888A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202310806799.2

申请日：2023-07-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞贞恩 ,  金昌炫 ,  卞卿溵 ,  薛珉洙 ,  申建旭 ,  李殷奎

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H01L29/49 ,  H01L29/08

Abstract: 一种半导体器件可以包括包含二维(2D)半导体材料的沟道层、在沟道层的中央部分上的栅极绝缘层、在栅极绝缘层上的栅电极、以及分别接触沟道层的相反侧的第一导电层和第二导电层。第一导电层和第二导电层中的每个可以包括金属硼化物。

公开(公告)号：CN114188305A

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202111031346.4

申请日：2021-09-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林炫锡 ,  赵玟赫 ,  卞卿溵 ,  申铉振 ,  山本薰 ,  尹祯秀 ,  李昭荣 ,  郑根吾

IPC: H01L23/532 ,  H01L29/45 ,  H01L27/108 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种布线结构和包括该布线结构的半导体器件。该布线结构包括在衬底上的包括掺杂多晶硅的第一导电图案、在第一导电图案上的包括金属硅化物的欧姆接触图案、在欧姆接触图案上的包括金属硅氮化物的防氧化图案、在防氧化图案上的包括石墨烯的扩散阻挡物、以及在扩散阻挡物上的包括金属的第二导电图案。

公开(公告)号：CN106067739B

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201610244475.4

申请日：2016-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  卞卿溵 ,  薛珉洙 ,  朴晟准

IPC: H02N1/04

Abstract: 一种摩擦电产生器包括：彼此面对的第一电极和第二电极；以及第一能量产生层，提供在第一电极上并且通过与其它材料接触而产生电能，第一能量产生层包括具有二维(2D)形状的晶体结构的2D材料。

公开(公告)号：CN104103671B

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201410175362.4

申请日：2014-02-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  卞卿溵 ,  宋伣在 ,  朴晟准 ,  D·许 ,  禹轮成 ,  李东郁 ,  李载昊 ,  郑现钟 ,  许镇盛 ,  柳寅敬

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/52

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/78684 ,  H01L31/028 ,  H01L31/08 ,  H01L33/34 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0504 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/0562 ,  H01L51/0566 ,  H01L51/057 ,  H01L51/428 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明提供石墨烯器件和包括石墨烯器件的电子设备。根据示例实施例，石墨烯器件包括：包括源极、栅极和漏极的晶体管；有源层，载流子通过其移动；以及在栅极和有源层之间的石墨烯层。石墨烯层可被配置为既作为有源层的电极又作为晶体管的沟道层。

公开(公告)号：CN107769607A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201710537117.7

申请日：2017-07-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： A.郑 ,  申铉振 ,  金在瑛 ,  卞卿溵

IPC: H02N1/04 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H02N1/04 ,  B82Y30/00

Abstract: 本公开涉及摩擦电发电机。一种摩擦电发电机包括彼此间隔开的第一电极和第二电极、分别提供在第一电极和第二电极上的第一起电层和第二起电层、以及被提供为将光照射到第二起电层上的光源。这里，第二起电层包括被配置为由于期望的波长的光而产生表面等离子体激元共振的金属材料，并且光源将被配置为产生表面等离子体激元共振的期望的波长的光照射到第二起电层上。

公开(公告)号：CN106230305A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201610379613.X

申请日：2016-06-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卞卿溵 ,  薛珉洙 ,  申铉振 ,  朴晟准

IPC: H02N1/04

CPC classification number: H02N1/04

Abstract: 示例实施方式涉及摩擦电发电机，该摩擦电发电机包括：第一电极和面对第一电极的摩擦电材料层；和自组装单层，在第一电极和摩擦电材料层之间并与第一电极的表面或摩擦电材料层的表面结合。根据要被结合的材料，自组装单层由包括硅烷基团、硅醇基团或硫醇基团的材料形成或包括具有硅烷基团、硅醇基团或硫醇基团的材料。

公开(公告)号：CN110970289B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN201910892838.9

申请日：2019-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申建旭 ,  金昌炫 ,  山本薰 ,  李昌锡 ,  宋伣在 ,  李殷奎 ,  卞卿溵 ,  申铉振 ,  安星柱

IPC: H01L21/02

Abstract: 提供一种形成石墨烯的方法。形成石墨烯的方法包括：当对放置在反应室中的基板施加偏压时用等离子体处理基板的表面；以及通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在基板的表面上生长石墨烯。

公开(公告)号：CN116960163A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310453556.5

申请日：2023-04-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申建旭 ,  李殷奎 ,  李昌锡 ,  金昌炫 ,  卞卿溵

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件可以包括：第一半导体层，包括第一半导体材料；金属层，面对第一半导体层并具有导电性；2D材料层，在第一半导体层和金属层之间；以及第二半导体层，在第一半导体层和2D材料层之间。第二半导体层可以包括不同于第一半导体材料的第二半导体材料。第二半导体层和2D材料层可以彼此直接接触。第二半导体材料可以包括锗。

公开(公告)号：CN116137782A

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：CN202211434058.8

申请日：2022-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申建旭 ,  金昌炫 ,  朴世勋 ,  金炫佑 ,  卞卿溵 ,  尹桐振 ,  李昌锡

IPC: H10B43/30 ,  H10B43/35 ,  H10B43/20 ,  G06N3/063

Abstract: 本公开涉及一种非易失性存储装置及神经形态设备。该垂直非易失性存储装置可以包括：在第一方向上延伸的沟道层；多个栅电极和多个间隔物，其中每个在与第一方向交叉的第二方向上延伸，多个栅电极和多个间隔物在第一方向上彼此交替排列；以及在沟道层和多个栅电极之间在第一方向上延伸的栅极绝缘层。多个栅电极中的每个可以包括金属掺杂的石墨烯。