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公开(公告)号：CN117855234A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311280462.9
申请日：2023-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N25/70
Abstract: 一种图像传感器包括：基板，具有第一光电转换器件(PD)、第二光电转换器件和第三光电转换器件；在第一光电转换器件上的第一微透镜；在第二光电转换器件和第三光电转换器件上的第二微透镜；设置在第一光电转换器件和第一微透镜之间的第一滤色器；设置在第二光电转换器件和第二微透镜之间的第一多个偏振图案；设置在第三光电转换器件和第二微透镜之间的第二多个偏振图案；在第一光电转换器件和第二光电转换器件之间的第一器件隔离图案；在第二光电转换器件和第三光电转换器件之间的第二器件隔离图案；以及设置在第一滤色器和第一多个偏振图案之间的第一栅格图案。
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公开(公告)号：CN110875341B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201910800437.6
申请日：2019-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种图像传感器，该图像传感器包括：半导体基板，具有第一表面和第二表面；像素元件隔离膜，延伸穿过半导体基板的内部并在半导体基板中限定多个有源像素；以及虚设元件隔离膜，延伸穿过半导体基板的内部，在平面图中沿有源像素的至少一侧延伸，并在半导体基板中限定多个虚设像素。像素元件隔离膜可以具有与第一表面基本上共面的第一端，并且在平行于第一表面的第一方向上具有第一宽度，虚设元件隔离膜具有与第一表面基本上共面的第一端，并且具有大于像素元件隔离膜的第一宽度的第二宽度。
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公开(公告)号：CN100530670C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200610075339.3
申请日：2006-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L29/78 , H01L29/51 , H01L21/82 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/31
CPC classification number: H01L27/14634 , H01L27/14609 , H01L27/1469
Abstract: 本发明提供了一种减少闪烁的图像传感器及其制备方法，图像传感器包括有源像素阵列和连接到所述有源像素阵列的控制电路。有源像素阵列包括多个第一栅极介电层，控制电路包括多个第二栅极介电层，其中第一栅极介电层是等离子氮化的氧化硅层。
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公开(公告)号：CN119730424A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411646760.X
申请日：2021-04-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种图像传感器包括：衬底，所述衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面；多个像素，每个像素包括位于所述衬底中的光电转换层；像素分离图案，所述像素分离图案设置在所述衬底中并分离所述像素；表面绝缘层，所述表面绝缘层设置在所述衬底的所述第一表面上；导体接触，所述导体接触设置在所述表面绝缘层中；和网格图案，所述网格图案设置在所述表面绝缘层上，其中，所述像素分离图案包括在与所述衬底的所述第一表面平行的方向上布置的第一部分和第二部分，并且所述导体接触介于所述像素分离图案的所述第一部分与所述网格图案之间，并且不介于所述像素分离图案的所述第二部分与所述网格图案之间。
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公开(公告)号：CN115985923A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211258992.9
申请日：2022-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：像素阵列，其包括布置在基板的上表面上的多个光电二极管、从基板的上表面延伸到基板的下表面并且设置在所述多个光电二极管之间的像素隔离层以及像素电路。像素阵列包括像素组，像素组分别包括两个或更多个光电二极管、至少一个滤色器和至少一个微透镜。包括在每个像素组中的至少一个滤色器具有一种颜色，并且像素隔离层包括：第一像素隔离层，其设置在像素组之间并且包含氧化硅和多晶硅；以及第二像素隔离层，其包含氧化硅并且在每个像素组中的两个或更多个光电二极管之间在彼此交叉的第一方向和第二方向上延伸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114068592A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110777511.4
申请日：2021-07-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：衬底，其具有彼此相对的第一表面和第二表面；衬底上的多个滤色器；所述多个滤色器中的邻近的滤色器之间的栅栏图案；以及衬底与所述多个滤色器之间的保护层，其中，保护层覆盖栅栏图案。栅栏图案包括：第一栅栏图案，其具有彼此相对的第一底表面和第一顶表面；以及第一栅栏图案的第一顶表面上的第二栅栏图案。第一栅栏图案在第一底表面处的宽度小于第二栅栏图案的宽度，并且保护层覆盖第一栅栏图案的侧壁。
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公开(公告)号：CN108695346A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810073539.8
申请日：2018-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14667 , H01L27/14689 , H01L27/14694 , H01L27/14605 , H01L27/14645
Abstract: 一种图像传感器包括：基板，其包括布置成二维阵列结构的多个像素并具有正面和与正面相反的背面；布置在基板的正面上的互连；布置在基板的背面上的绝缘层、滤色器和微透镜；设置在基板中的像素分离结构，像素分离结构包括在图像传感器的俯视图中具有网格结构的导电层并且围绕所述多个像素的每个；以及背面接触，其与像素分离结构的导电层的网格结构的网格点部分垂直地重叠并电连接到像素分离结构的导电层的网格结构的网格点部分。
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公开(公告)号：CN115799280A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211079156.4
申请日：2022-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：衬底，其包括第一区和包围第一区的第二区；衬底中的感光元件；感光元件上的平坦化层；包括滤色器的滤色器阵列层，其在衬底的第一区上的平坦化层上；光阻挡金属图案，其在衬底的第二区上的平坦化层上；伪滤色器层，其在第二区的邻近于衬底的第一区的一部分的光阻挡金属图案上；以及滤色器阵列层上的微透镜。有源像素在第一区中，光学黑(OB)像素在第二区中。
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公开(公告)号：CN115692439A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210842775.8
申请日：2022-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括双垂直栅极。双垂直栅极包括在第一方向上彼此间隔开并且在与第一方向垂直的第二方向上垂直地延伸到衬底中的两个垂直延伸部分，以及将两个垂直延伸部分彼此连接的连接部分。元件隔离层在第一方向上与垂直延伸部分的侧表面相邻设置。两个垂直延伸部分由在第二方向上延伸的分离区域分开，并且分离区域的顶表面低于元件隔离层的顶表面。
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公开(公告)号：CN113555378A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110396053.X
申请日：2021-04-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：衬底，所述衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面；多个像素，每个像素包括位于所述衬底中的光电转换层；像素分离图案，所述像素分离图案设置在所述衬底中并分离所述像素；表面绝缘层，所述表面绝缘层设置在所述衬底的所述第一表面上；导体接触，所述导体接触设置在所述表面绝缘层中；和网格图案，所述网格图案设置在所述表面绝缘层上，其中，所述像素分离图案包括在与所述衬底的所述第一表面平行的方向上布置的第一部分和第二部分，并且所述导体接触介于所述像素分离图案的所述第一部分与所述网格图案之间，并且不介于所述像素分离图案的所述第二部分与所述网格图案之间。
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