-
公开(公告)号：CN116235426A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202180063761.X
申请日：2021-09-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04B7/185
Abstract: 本公开涉及用于支持高于诸如长期演进(LTE)的第四代(4G)通信系统的数据速率的第五代(5G)或第六代(6G)通信系统。本公开提供了一种用于管理至少一个卫星的卫星通信小区的卫星通信小区管理装置，该卫星通信小区管理装置包括收发器和至少一个处理器，其中至少一个处理器被配置为将卫星通信小区连接到基站(BS)，并且根据至少一个卫星相对于地面的相对移动来更新卫星通信小区和BS之间的连接。
-
公开(公告)号：CN110875341B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201910800437.6
申请日：2019-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种图像传感器，该图像传感器包括：半导体基板，具有第一表面和第二表面；像素元件隔离膜，延伸穿过半导体基板的内部并在半导体基板中限定多个有源像素；以及虚设元件隔离膜，延伸穿过半导体基板的内部，在平面图中沿有源像素的至少一侧延伸，并在半导体基板中限定多个虚设像素。像素元件隔离膜可以具有与第一表面基本上共面的第一端，并且在平行于第一表面的第一方向上具有第一宽度，虚设元件隔离膜具有与第一表面基本上共面的第一端，并且具有大于像素元件隔离膜的第一宽度的第二宽度。
-
公开(公告)号：CN109962045A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201811195151.1
申请日：2018-10-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/528 , H01L27/144
Abstract: 一种半导体器件包括在下基板上的下绝缘层、在下绝缘层内部的下焊盘结构、在下绝缘层上的上绝缘层、在上绝缘层内部的上焊盘结构、以及在上绝缘层上的上基板。通路插塞穿过上基板、上绝缘层和下绝缘层中的每个的至少一部分，并且与上焊盘结构和下焊盘结构接触。上焊盘结构包括多个上焊盘导电层和在上焊盘导电层之间的上连接层。上连接层包括导电图案，该导电图案具有与上焊盘导电层中的至少一个的形状不同的形状。通路插塞与上焊盘导电层和上连接层直接接触。
-
公开(公告)号：CN108242450A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201711372233.4
申请日：2017-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L23/544 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14687 , H01L27/14601 , H01L27/14683
Abstract: 本公开提供了图像传感器及其制造方法。一种图像传感器包括第一基板、阻挡结构、第一结构、第二基板和第二结构。第一基板包括其中设置单位像素的器件区域和围绕器件区域的第一剩余划片道区域。第一基板具有第一表面和第二表面。阻挡结构穿透第一剩余划片道区域中的第一基板。第一基板的第一表面在第一结构上。第二基板包括面对第一剩余划片道区域的第二剩余划片道区域。第二基板具有前表面和后表面。第二结构在第二基板的前表面上并面对第一基板的第一表面。第二结构被接合到第一结构。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119678473A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202380061762.X
申请日：2023-08-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种无线通信系统中的数据发射方法和设备。更具体地，提供了一种由无线通信系统中的第一节点执行的方法。该方法包括：如果报头配置信息指示将包括网络管理信息和用户服务提供信息中的一个或多个的第一数据包含在报头中，则从第二节点接收报头配置信息，将包括第一数据和用于解析第一数据的附加信息的分组发射到第二节点，以及从接收分组的第二节点接收对第一数据的响应。
-
公开(公告)号：CN119174154A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202280095834.8
申请日：2022-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04L47/24 , H04L47/10 , H04L47/283 , H04W28/02
Abstract: 本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。提供了一种由通信系统中的基站执行的方法。该方法包括：从用户平面功能(UPF)接收包括元数据的分组，识别用于分组的服务质量(QoS)流的分组延迟预算(PDB)，基于元数据识别分组的延迟时间，基于PDB和延迟时间确定接入网(AN)PDB，以及基于AN PDB执行用于到终端的分组的传输的调度。
-
公开(公告)号：CN109962045B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201811195151.1
申请日：2018-10-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/528 , H01L27/144
Abstract: 一种半导体器件包括在下基板上的下绝缘层、在下绝缘层内部的下焊盘结构、在下绝缘层上的上绝缘层、在上绝缘层内部的上焊盘结构、以及在上绝缘层上的上基板。通路插塞穿过上基板、上绝缘层和下绝缘层中的每个的至少一部分，并且与上焊盘结构和下焊盘结构接触。上焊盘结构包括多个上焊盘导电层和在上焊盘导电层之间的上连接层。上连接层包括导电图案，该导电图案具有与上焊盘导电层中的至少一个的形状不同的形状。通路插塞与上焊盘导电层和上连接层直接接触。
-
公开(公告)号：CN111584464A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201911145205.8
申请日：2019-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L21/98 , H01L27/146
Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括顺序堆叠的第一子芯片和第二子芯片以及将第一子芯片和第二子芯片彼此电连接的贯通接触部。第一子芯片和第二子芯片中的每一个子芯片包括衬底和介于衬底之间的多个互连线。第二子芯片的互连线可以包括分别具有第一开口和第二开口的第一互连线和第二互连线，第一开口和第二开口彼此水平偏移。贯通接触部从第二子芯片的衬底朝第一子芯片延伸并可以包括辅助接触部，辅助接触部穿过第一开口和第二开口朝第一子芯片延伸，并具有比第一子芯片的互连线中的最上互连线的顶表面高的底表面。
-
公开(公告)号：CN110875341A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910800437.6
申请日：2019-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种图像传感器，该图像传感器包括：半导体基板，具有第一表面和第二表面；像素元件隔离膜，延伸穿过半导体基板的内部并在半导体基板中限定多个有源像素；以及虚设元件隔离膜，延伸穿过半导体基板的内部，在平面图中沿有源像素的至少一侧延伸，并在半导体基板中限定多个虚设像素。像素元件隔离膜可以具有与第一表面基本上共面的第一端，并且在平行于第一表面的第一方向上具有第一宽度，虚设元件隔离膜具有与第一表面基本上共面的第一端，并且具有大于像素元件隔离膜的第一宽度的第二宽度。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.033 seconds)
