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公开(公告)号：CN108075117B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201711159045.3
申请日：2017-11-20
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/485 , H01M4/62 , H01M10/0525 , H01L35/22 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G01N27/327 , G01N27/30
Abstract: 本发明涉及多孔硅复合物、其制备方法、用其的碳复合物及各自含其的电极、锂电池和器件。多孔硅复合物簇结构体包括：多孔硅复合物簇，其包括多孔硅复合物二次颗粒和在所述多孔硅复合物二次颗粒的至少一个表面上的第二碳薄片；和在所述多孔硅复合物簇上的碳质层，碳质层包括无定形碳，其中所述多孔硅复合物二次颗粒包括两个或更多个硅一次颗粒的聚集体，所述两个或更多个硅一次颗粒包括硅、在硅的表面上的其中0
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公开(公告)号：CN113346124A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110189863.8
申请日：2021-02-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M10/0525 , H01M10/058 , H01M10/0562
Abstract: 本发明涉及全固体二次电池和制造全固体二次电池的方法。全固体二次电池包括：包括正极活性材料层的正极层；负极层；和包括固体电解质的固体电解质层，其中所述固体电解质层设置在正极层和负极层之间，其中所述负极层包括负极集流体、与所述固体电解质层接触的第一负极活性材料层、以及设置在所述负极集流体和所述第一负极活性材料层之间的第二负极活性材料层，其中所述第一负极活性材料层包括第一碳质负极活性材料，所述第二负极活性材料层包括第二碳质负极活性材料，和所述第一碳质负极活性材料的拉曼光谱中的D带峰的强度对G带峰的强度的第一强度比小于所述第二碳质负极活性材料的拉曼光谱中的D带峰的强度对G带峰的强度的第二强度比。
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公开(公告)号：CN110880616A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201910500163.9
申请日：2019-06-11
IPC: H01M10/0562 , H01M10/0525 , H01M10/05
Abstract: 提供固体电解质、其制备方法和包括其的二次电池，所述固体电解质包括：无机锂离子传导膜；和在所述无机锂离子传导膜的表面上的多孔层，其中所述多孔层包括第一多孔层和第二多孔层，且所述第二多孔层设置在所述无机锂离子传导膜和所述第一多孔层之间，和其中所述第一多孔层具有比所述第二多孔层的孔尺寸大的孔尺寸。
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公开(公告)号：CN119650590A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411300815.1
申请日：2024-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M4/134 , H01M4/62 , H01M4/38 , H01M10/052 , H01M10/056 , H01M10/058
Abstract: 本发明涉及用于全固态电池的子组件、全固态电池、和制备全固态电池的方法。负极子组件包括负极集流体、中间层、和固体电解质层，其以该陈述的次序布置，其中在其初始状态或完全放电的状态下，所述中间层包括：含有多孔碳材料的第一中间层，其接触所述固体电解质层并且包括具有部分地或完全地被锂填充的孔的多孔碳材料；含有多孔碳材料的第二中间层，其在所述第一中间层上并且具有不含锂的孔；和含有金属的第三中间层，其与所述负极集流体接触并且在所述含有多孔碳材料的第二中间层上，其中所述含有金属的第三中间层包括金属。
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公开(公告)号：CN110880616B
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN201910500163.9
申请日：2019-06-11
IPC: H01M10/0562 , H01M10/0525 , H01M10/05
Abstract: 提供固体电解质、其制备方法和包括其的二次电池，所述固体电解质包括：无机锂离子传导膜；和在所述无机锂离子传导膜的表面上的多孔层，其中所述多孔层包括第一多孔层和第二多孔层，且所述第二多孔层设置在所述无机锂离子传导膜和所述第一多孔层之间，和其中所述第一多孔层具有比所述第二多孔层的孔尺寸大的孔尺寸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110085856B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN201910057393.2
申请日：2019-01-22
IPC: H01M4/38 , H01M4/62 , H01M10/052
Abstract: 本发明涉及含硅结构体、其制备方法、使用其的碳复合物及各自包括其的电极、锂电池和设备。含硅结构体包括：硅复合物，其包括多孔硅二次颗粒和在所述多孔硅二次颗粒的表面上的第一碳片；在硅复合物上的碳质包覆层，所述碳质包覆层包括第一无定形碳；以及所述硅复合物包括第二无定形碳且具有等于或小于所述碳质包覆层的密度的密度，其中所述多孔硅二次颗粒包括硅复合一次颗粒的聚集体，所述硅复合一次颗粒各自包括硅、在所述硅的表面上的硅低价氧化物、和在所述硅低价氧化物的表面上的第二碳片。
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公开(公告)号：CN117154194A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310475386.0
申请日：2023-04-27
IPC: H01M10/0562 , H01M10/0525 , H01M10/058 , H01M4/131 , H01M4/136
Abstract: 本发明涉及全固体二次电池和制备全固体二次电池的方法。全固体二次电池包括：包括正极活性材料的正极层；包括负极集流体和第一负极活性材料层的负极层；以及在所述正极层和所述负极层之间的固体电解质层，所述固体电解质包括固体电解质，其中所述第一负极活性材料层与所述固体电解质层相邻，所述第一负极活性材料层包括多组分金属复合物包括M1、M2、M3和X，所述多组分金属复合物中的M2M3X对M1M2M3X的原子比在约0.5‑约0.85的范围内，和M2M3X对M1离子的原子比在约1‑约5.51的范围内。
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公开(公告)号：CN116137318A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202211446397.8
申请日：2022-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M4/134 , H01M10/0562 , H01M10/052 , H01M10/058
Abstract: 本发明涉及负极‑固体电解质子组件、全固体二次电池和制备全固体二次电池的方法。用于全固体二次电池的负极‑固体电解质子组件，所述子组件包括：负极集流体；在所述集流体上的第一负极活性材料层；在所述第一负极活性材料层上的中间层；和在所述中间层上且在所述第一负极活性材料层对面的固体电解质，其中所述中间层包括复合物，所述复合物包括第一金属材料和锂离子导体，其中所述第一金属材料包括第一金属、包括所述第一金属和锂的合金、包括所述第一金属和锂的化合物、或其组合，其中所述第一负极活性材料层包括碳质负极活性材料和任选地第一负极活性材料，所述第一负极活性材料包括第二金属、准金属、或其组合。
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公开(公告)号：CN111977626A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010442550.4
申请日：2020-05-22
Applicant: 三星电子株式会社 , 弗罗里达州大学研究基金会(有限)公司
IPC: C01B25/45 , C01B25/455 , C01B33/20 , C01D15/04 , C01G35/00 , H01M10/052 , H01M10/0565
Abstract: 本发明涉及固体导体、其制备方法、包括固体导体的固体电解质和包括固体导体的电化学装置。固体导体，包括：由式1表示的化合物、由式2表示的化合物、或其组合，其中，在式1和2中，M为具有+4的氧化值的元素，Q为具有+4的氧化值的元素，X为卤素、拟卤素、或其组合，和0≤x≤2，0≤y
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公开(公告)号：CN110085856A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910057393.2
申请日：2019-01-22
IPC: H01M4/38 , H01M4/62 , H01M10/052
Abstract: 本发明涉及含硅结构体、其制备方法、使用其的碳复合物及各自包括其的电极、锂电池和设备。含硅结构体包括：硅复合物，其包括多孔硅二次颗粒和在所述多孔硅二次颗粒的表面上的第一碳片；在硅复合物上的碳质包覆层，所述碳质包覆层包括第一无定形碳；以及所述硅复合物包括第二无定形碳且具有等于或小于所述碳质包覆层的密度的密度，其中所述多孔硅二次颗粒包括硅复合一次颗粒的聚集体，所述硅复合一次颗粒各自包括硅、在所述硅的表面上的硅低价氧化物、和在所述硅低价氧化物的表面上的第二碳片。
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