公开(公告)号：CN1964076A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200610143565.0

申请日：2006-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛光洙 ,  金丙基 ,  李银京 ,  闵约赛 ,  赵庆相 ,  李在昊 ,  崔在荣

IPC: H01L29/792 ,  H01L29/51 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/42332 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/42348

Abstract: 本发明提供了一种使用纳米点作为俘获位的半导体存储器件及其制造方法。所述半导体存储器件包括半导体衬底、形成于半导体衬底中的第一杂质区和第二杂质区、和形成于半导体衬底上与第一和第二杂质区接触的栅结构，其中栅结构包括隧穿层、多个形成于隧穿层上的纳米点、和形成于隧穿层和纳米点上的控制绝缘层，且控制绝缘层包括高k介电层。

公开(公告)号：CN1854862A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610077102.9

申请日：2006-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔在荣 ,  金丙基 ,  任承宰 ,  李殷成 ,  赵庆相 ,  张银珠

IPC: G02F1/13357 ,  G02F1/13 ,  H01L33/00

CPC classification number: B82Y20/00 ,  G02F1/133617 ,  G02F2202/36

Abstract: 本发明提供了一种光激发光(PL)LCD，其包括：电极，设置在前基板和后基板的底表面和顶表面上并在液晶(LC)中创建电场；纳米点(ND)PL层，设置在前基板的底表面并且在由紫外(UV)光照射时发光；以及UV背光单元，位于后基板之后并且将UV光提供给ND PL层。UV背光单元由360到460nm波长范围的蓝色UV光激发以发光。具有上述结构的PDLCD抑制了LC的UV光吸收和LC的退化，同时提供了高的光效率。

公开(公告)号：CN1854827A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610067398.6

申请日：2006-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金炯柱 ,  黄仁瑄 ,  金丙基 ,  李相裕 ,  卞真燮 ,  崔在荣 ,  朴海日 ,  李明禧

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/1335

CPC classification number: G02F1/133514 ,  G02F1/133536 ,  G02F1/133617 ,  G02F2001/133543 ,  G02F2001/133562

Abstract: 一种显示装置，包括可见光反射层和荧光层。可见光反射层透射不可见光。可见光从该可见光反射层反射。荧光层置于该可见光反射层上从而根据已经透过该可见光反射层的不可见光产生可见光。该荧光层透射该可见光反射层反射的可见光。因此，降低了制造成本，并提高了光效率。