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公开(公告)号：CN115642157A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202210803301.2
申请日：2022-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L27/02
Abstract: 根据本发明构思的实施例的半导体装置包括多个标准单元，所述多个标准单元位于平行于衬底的上表面并且彼此相交的第一方向和第二方向上，并且所述多个标准单元中的每一个标准单元具有一个或更多个栅极结构以及一个或更多个有源区，并且在提供相同电路且在标准单元区域中位于不同位置处的一些标准单元中，输入线或/和输出线位于不同位置。
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