Patent search ap:("三星电子株式会社") AND inv:"金修廷" Page 1

1.

发明公开
半导体装置审中-实审

公开(公告)号：CN114188324A

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202110658864.2

申请日：2021-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金孝燮 , 金根楠 , 金万福 , 金修廷 , 朴哲权 , 田昇培 , 黄有商

IPC: H01L27/108

Abstract: 公开了半导体装置。所述半导体装置可以包括：有源图案；栅极结构，在有源图案的上部中；位线结构，在有源图案上；下间隔件结构，在位线结构的侧壁的下部上；以及上间隔件结构，在位线结构的侧壁的上部上。下间隔件结构包括顺序地堆叠的第一下间隔件和第二下间隔件，第一下间隔件接触位线结构的侧壁的下部且不包括氮，并且第二下间隔件包括与第一下间隔件不同的材料。上间隔件结构的接触位线结构的侧壁的上部的部分包括与第一下间隔件不同的材料。

Patent Agency Ranking