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公开(公告)号：CN118632538A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410124800.8
申请日：2024-01-29
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金基俊
Abstract: 可以提供一种具有改善的特性的半导体存储器件。该半导体存储器件包括：单元衬底；多个栅电极，顺序地堆叠在单元衬底上；半导体层，在竖直方向上延伸，与单元衬底的上侧相交，并且与多个栅电极相交；以及包括铁电体的栅极介电层，在每个栅电极和半导体层之间；其中，半导体层包括均在竖直方向上延伸的n型沟道层和p型沟道层，并且n型沟道层包括在竖直方向上延伸的氧化物二维电子气(2‑DEG)层。
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公开(公告)号：CN118540939A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202311741237.0
申请日：2023-12-18
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金基俊
IPC: H10B12/00
Abstract: 可以提供一种半导体器件，包括：堆叠结构，包括多条栅极线和多个绝缘图案，多条栅极线在竖直方向上彼此间隔开，多个绝缘图案逐一位于多条栅极线之间，堆叠结构包括在竖直方向上穿过该堆叠结构的竖直孔；沟道膜，在竖直孔内部沿竖直方向延伸；以及复合域介电膜，在沟道膜和堆叠结构之间，其中，复合域介电膜包括：主域，包括铁电材料，该主域在竖直孔内部沿竖直方向延伸，以及至少一个子域，包括选自反铁电材料和顺电材料中的至少一种材料，该至少一个子域与主域接触。
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公开(公告)号：CN113381190A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110524117.X
申请日：2018-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及一种用于将IoT技术与5G通信系统进行融合以支持比4G系统更高的数据传输速率的通信技术及其系统。本公开可以应用于基于5G通信技术和IoT相关技术的智能服务(例如，智能家居、智能建筑、智能城市、智能汽车或互联汽车、医疗保健、数字教育、智能零售、安保与安全服务等)。根据本公开的一种天线模块包括：第一基板层，其包括至少一个堆叠的基板；天线，其耦接到第一基板层的顶表面；第二基板层，其顶表面耦接到第一基板层的底表面，并且包括至少一个堆叠的基板；以及射频(RF)元件，其耦接到第二基板层的底表面。
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公开(公告)号：CN101030593A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200610142347.5
申请日：2006-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/12 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/51 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/16
Abstract: 本发明提供了具有改进的结构以改善相变材料层的附着的相变存储器，以及该存储器的制造方法。该相变存储器包括开关装置以及连接到该开关装置的存储节点，该存储节点包括底部电极、顶部电极、夹置在该底部电极和该顶部电极之间的相变材料层、以及夹置在该底部电极和该相变材料层之间的附着界面层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1139130C
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN98118861.3
申请日：1998-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/11 , H01L27/1104 , Y10S257/903
Abstract: 一种能减小全CMOS SRAM单元的纵横比的半导体器件，所述单元包括：由串联连接的第一传送晶体管和第一驱动晶体管的漏区形成的第一公共区；由串联连接的第二传送晶体管和第二驱动晶体管的漏区形成的第二公共区；设置在第一和第二公共区之间而邻近第一公共区的第一负载晶体管的漏区；设置在第一负载晶体管的漏区和第二公共区之间的第二负载晶体管的漏区；第一和第二栅极层，它们通常彼此平行布置；以及第一和第二互连层。
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公开(公告)号：CN117255558A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202310524029.9
申请日：2023-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金基俊
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：多条位线，布置在基底上并在第一水平方向上延伸；多个沟道层，分别布置在所述多条位线上；多条字线，分别布置在所述多个沟道层上，并且在第二水平方向上延伸；以及多个铁电层，布置在所述多个沟道层与所述多条字线之间，其中，所述多个铁电层包括基体介电层和纳米颗粒，纳米颗粒分别分散并布置在基体介电层中，并且纳米颗粒具有包括核和壳的核‑壳结构。
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公开(公告)号：CN116666936A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310637275.5
申请日：2018-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01Q1/02 , H01Q1/22 , H01Q1/24 , H01Q1/38 , H01Q1/42 , H01Q21/06 , H01Q9/04 , H04B7/0413 , H04Q1/02 , H05K1/18 , H01L23/36 , H01L23/42 , H05K9/00
Abstract: 本公开涉及一种用于将IoT技术与5G通信系统进行融合以支持比4G系统更高的数据传输速率的通信技术及其系统。本公开可以应用于基于5G通信技术和IoT相关技术的智能服务(例如，智能家居、智能建筑、智能城市、智能汽车或互联汽车、医疗保健、数字教育、智能零售、安保与安全服务等)。根据本公开的一种天线模块包括：第一基板层，其包括至少一个堆叠的基板；天线，其耦接到第一基板层的顶表面；第二基板层，其顶表面耦接到第一基板层的底表面，并且包括至少一个堆叠的基板；以及射频(RF)元件，其耦接到第二基板层的底表面。
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公开(公告)号：CN111557063B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201880082851.1
申请日：2018-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及一种用于将IoT技术与5G通信系统进行融合以支持比4G系统更高的数据传输速率的通信技术及其系统。本公开可以应用于基于5G通信技术和IoT相关技术的智能服务(例如，智能家居、智能建筑、智能城市、智能汽车或互联汽车、医疗保健、数字教育、智能零售、安保与安全服务等)。根据本公开的一种天线模块包括：第一基板层，其包括至少一个堆叠的基板；天线，其耦接到第一基板层的顶表面；第二基板层，其顶表面耦接到第一基板层的底表面，并且包括至少一个堆叠的基板；以及射频(RF)元件，其耦接到第二基板层的底表面。
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公开(公告)号：CN108870536B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN201810471056.3
申请日：2017-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: F24F1/0063 , F24F1/0018 , F24F13/14 , F24F13/08 , F24F13/15
Abstract: 空调包括排放叶片，所述排放叶片配置为在从鼓风机吹出并且向出口排放的空气的方向受控制的引导位置和出口关闭的关闭位置之间移动，其中，排放叶片包括多个叶片孔，在关闭位置处空气通过所述多个叶片孔经由排放叶片排放，排放叶片在引导位置和关闭位置之间移动并且控制从鼓风机到排放板或出口的气流。通过这种配置，可通过排放叶片的操作来控制排放到壳体外部的气流。
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