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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117423718A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202310865016.8
申请日：2023-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种显示设备包括：电路板，其包括驱动电路；以及像素阵列，其设置在电路板上并包括像素，像素中的每一个具有多个子像素。像素阵列包括：半导体堆叠件、导电分隔结构和波长转换部分。半导体堆叠件包括分别构成多个子像素的LED单元。LED单元中的每一个至少包括有源层和第二导电类型半导体层。导电分隔结构设置在位于半导体堆叠件上的分别与LED单元重叠的子像素空间之间，并被设置为第一电极。波长转换部分分别设置在子像素空间上。
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公开(公告)号：CN109473377A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811026092.5
申请日：2018-09-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01L33/00
CPC classification number: H01L21/6838 , G05B2219/45031 , G06T7/73 , H01L21/67011 , H01L21/67144 , H01L21/677 , H01L21/682 , H01L33/0095
Abstract: 一种半导体制造设备包括：具有真空卡盘的传送头，所述真空卡盘构造成真空地保持发光元件芯片；和真空泵，其构造为向所述传送头提供真空压力，其中所述真空卡盘包括多孔材料层和所述多孔材料层上的缓冲层，并且所述缓冲层包括多个突起和真空孔，所述真空孔从所述缓冲层的与所述多孔材料层接触的表面延伸到所述突起的下表面。
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公开(公告)号：CN116404086A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202211683838.6
申请日：2022-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种显示设备包括：电路衬底；以及像素阵列，其位于电路衬底上，并且包括多个像素。像素阵列包括：发光二极管(LED)单元，其构成多个像素，LED单元中的每一个包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；波长转换器，其位于LED单元上；上半导体层，其位于LED单元上并且具有分隔结构；钝化层，其位于LED单元的侧表面上；第一电极，其沿着LED单元的区域以具有栅格形状；第二电极，其连接到第二导电类型半导体层；以及反射层，其沿着LED单元的侧表面上的钝化层位于第一电极与第二电极之间，并且具有朝向LED单元的外部倾斜的表面。
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公开(公告)号：CN106257696B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201610437305.8
申请日：2016-06-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/50
Abstract: 一种半导体发光装置，包括：发光堆叠件，其包括第一导电类型的半导体层、第二导电类型的半导体层以及布置在第一导电类型的半导体层与第二导电类型的半导体层之间的有源层；波长转换层，其布置在发光堆叠件上，并且被构造为将从有源层发射的具有第一波长的光中的至少一部分转换为具有第二波长的光；以及光控制层，其布置在发光堆叠件与波长转换层之间，并且包括第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层的折射率比发光堆叠件的折射率低，并且第二绝缘层的折射率比第一绝缘层的折射率高0.5或更多。
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公开(公告)号：CN106257696A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201610437305.8
申请日：2016-06-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/50
Abstract: 一种半导体发光装置，包括：发光堆叠件，其包括第一导电类型的半导体层、第二导电类型的半导体层以及布置在第一导电类型的半导体层与第二导电类型的半导体层之间的有源层；波长转换层，其布置在发光堆叠件上，并且被构造为将从有源层发射的具有第一波长的光中的至少一部分转换为具有第二波长的光；以及光控制层，其布置在发光堆叠件与波长转换层之间，并且包括第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层的折射率比发光堆叠件的折射率低，并且第二绝缘层的折射率比第一绝缘层的折射率高0.5或更多。
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