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公开(公告)号：CN115527577A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210492449.9
申请日：2022-05-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置可以包括：基底；第一下布线图案和第一上布线图案堆叠在基底上且彼此间隔开；第二下布线图案和第二上布线图案，堆叠在基底上且彼此间隔开，并且与第一下布线图案和第一上布线图案间隔开；第一栅极线，围绕第一下布线图案和第一上布线图案；第二栅极线，围绕第二下布线图案和第二上布线图案并且与第一栅极线间隔开；第一下源/漏区；第一上源/漏区；以及第一叠置接触件，将第一下源/漏区、第一上源/漏区和第二栅极线彼此电连接。
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公开(公告)号：CN114597205A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202111376489.9
申请日：2021-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件可以包括在基板上的有源图案、在有源图案上的源极/漏极图案、在每个源极/漏极图案的侧表面上的围栏间隔物、插设在源极/漏极图案之间的沟道图案、与沟道图案交叉并在第一方向上延伸的栅电极、以及在栅电极的侧表面上的栅极间隔物。围栏间隔物的上部的在第一方向上的第一厚度可以大于栅极间隔物的在与第一方向交叉的第二方向上的第二厚度。
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公开(公告)号：CN113224163A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110162117.X
申请日：2021-02-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本公开提供了一种垂直场效应晶体管(VFET)结构及其制造方法。该VFET结构包括：基板；形成在基板上的鳍结构；底部源极/漏极区域，形成在基板上在鳍结构的下部之间且在其相反两侧；以及浅沟槽隔离(STI)结构，形成在基板的侧部和底部源极/漏极区域的侧部，其中底部源极/漏极区域的上部包括底部硅化物层，每个底部硅化物层具有条形。
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公开(公告)号：CN112103248A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010558377.4
申请日：2020-06-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L21/336 , H01L27/088 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了垂直场效应晶体管(VFET)器件及其制造方法。该用于制造VFET器件的方法可以包括：提供中间VFET结构，其包括衬底、形成在衬底上的多个鳍结构以及在鳍结构之间形成在衬底上的掺杂层，掺杂层包括底部源极/漏极(S/D)区域；在衬底的顶表面之下并且在鳍结构之间穿过掺杂层和衬底形成浅沟槽，以使鳍结构彼此隔离；用绝缘材料填充浅沟槽和在鳍结构之间的空间；蚀刻除了在浅沟槽中以外在掺杂层的顶表面的高度之上填充在鳍结构之间的绝缘材料，使得具有处于掺杂层的顶表面的高度处或之上的顶表面的浅沟槽隔离(STI)结构形成在浅沟槽中；分别在鳍结构上形成栅极结构；以及在鳍结构之上形成顶部S/D区域。
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公开(公告)号：CN100474044C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200410010417.2
申请日：2004-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H05B41/36 , H05B41/2853 , Y02B20/186 , Y10T307/74
Abstract: 一种电源系统，具有：电源单元，产生电源电压信号；电压控制器，响应于电源电压信号和灯泡亮启/熄灭信号而产生第一电源控制信号；逆变器控制器，响应于第一电源控制信号而被驱动；逆变器，响应于从逆变器控制器施加的控制信号而驱动灯泡。第一电源控制信号防止逆变器截止。电压控制器包括：比较器，将比较电压信号和基准信号进行比较；开关单元，响应于灯泡亮启/熄灭信号和比较器的输出信号而接通或截止；以及恒压发生器，提供恒压信号作为第一电源控制信号至逆变器控制器。一种液晶显示器件，包括定时控制器，选通和数据驱动器，显示面板，灯泡单元，以及提供电源给灯泡单元的电源系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100462799C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200510079202.0
申请日：2005-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/133 , G09G3/36
CPC classification number: H05B41/2855 , H05B41/2824 , Y02B20/186
Abstract: 一种背光组件装置包括灯、逆变器、传感单元、正常发光判断器和逆变器控制器。逆变器将控制信号施加给灯以控制灯的工作。传感单元响应流过灯的电流输出传感电压。正常发光判断器比较传感电压和参考电压来判断灯的工作状态，以输出判断信号，并响应灯的工作状态变化改变参考电压。逆变器控制器响应判断信号输出控制信号。
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公开(公告)号：CN1786782A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200510128842.6
申请日：2005-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/133 , G02F1/13357 , G02F1/1335
CPC classification number: H01J5/52 , G02F1/133604 , H01J9/18 , H01J61/305 , H01J65/00 , H01J65/046 , H01R4/48 , H01R33/0827
Abstract: 本发明公开了一种夹具，所述夹具包括第一接触部分、第二接触部分和连接部分。夹具电连接在平面荧光灯的灯体的上、下表面上的第一和第二外部电极。第一接触部分与第一外部电极接触。第一接触部分具有孔。第二接触部分与第二外部电极接触。第二接触部分也可以具有孔。连接部分将第一接触部分电连接到第二接触部分。第一外部电极紧固地连接到第二外部电极，以提高平面荧光灯的可靠性。
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公开(公告)号：CN1624540A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN200410082064.7
申请日：2004-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/133
CPC classification number: H01J65/046 , G02F1/133604 , G02F2001/133612 , H01J61/305 , H01J65/00
Abstract: 公开了一种具有增强电气机械特性的表面光源装置。该表面光源装置包括：光源主体，该光源主体包括放电空间以产生光源；至少一个位于该光源主体一端的外表面上的外部电极，该至少一个外部电极沿第一方向延伸，并将放电电压施加至该放电空间；以及至少一个能量传递部件，该至少一个能量传递部件与该至少一个外部电极相结合，用以将放电电压施加至该至少一个外部电极。该至少一个能量传递部件呈夹具状并夹在位于光源主体外表面上的所述至少一个外部电极上。
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公开(公告)号：CN114068530A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110878115.0
申请日：2021-07-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088
Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，具有设置有沟道图案的有源区；器件隔离层，包括限定有源区的第一部、以及包围沟道图案的第一部分的第二部；上外延图案，设置在沟道图案的顶表面上；栅电极，包围沟道图案的第二部分并且在第一方向上延伸；栅间隔物，在栅电极上；层间介电层，在栅间隔物上；以及气隙，在栅电极的底表面和器件隔离层的第二部之间。气隙的至少一部分与栅电极竖直地重叠。沟道图案的第二部分高于沟道图案的第一部分。
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公开(公告)号：CN108028891B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201680055107.3
申请日：2016-09-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据本发明的各种实施例的电子设备包括：图像传感器；显示器,被配置为获取用户输入；和处理器，其功能性地连接到所述图像传感器和所述显示器，其中所述处理器被配置为：当用户输入具有第一输入时间时，显示通过显示器从图像传感器获取的图像信息，以及当用户输入具有第二输入时间时，执行存储图像信息的操作。
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