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公开(公告)号：CN110473879B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN201910379389.8
申请日：2019-05-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种竖直存储器件包括：栅线结构，其包括其中形成有竖直沟道结构的单元区；以及第一连接区和第二连接区，它们在第一方向上分别布置在单元区的第一端和第二端。第一连接区和第二连接区中的每一个包括第一栅线的第一突起和第二栅线的第二突起，所述第一突起和所述第二突起与衬底的顶表面平行并且在垂直于第一方向的第二方向上布置为台阶。第二连接区的第一突起和第一连接区的第一突起关于单元区的中心线对角地布置，所述中心线平行于第一方向。
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公开(公告)号：CN116153348A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211224032.0
申请日：2022-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器件包括第一下半导体层和第二下半导体层。第一下半导体层设置在包括第一存储单元阵列的第一上半导体层的下方。第一下半导体层包括与第一存储单元阵列电连接的第一页缓冲器。第二下半导体层设置在第二上半导体层的下方，该第二上半导体层包括第二存储单元阵列并在第一方向上与第一上半导体层相邻设置。第二下半导体层包括第二页缓冲器的第一部分，第二页缓冲器电连接到第二存储单元阵列并在第一方向上与第一下半导体层相邻设置。第一下半导体层还包括第二页缓冲器的第二部分，该第二部分与第一部分不同。
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公开(公告)号：CN108346664A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201710060999.2
申请日：2017-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11529 , H01L27/11573
CPC classification number: H01L27/11529 , H01L27/11573
Abstract: 本公开提供具有外围上单元结构的存储器件和包括其的存储器封装。一种存储器件包括衬底和设置在衬底的第一表面上的外围电路。外围电路包括第一晶体管。存储器件还包括设置在外围电路上的第一布线层、设置在第一布线层上的基底层、设置在基底层上的存储单元阵列、以及设置在存储单元阵列上的第二布线层。第二布线层包括配置为供应第一电压的第一电源布线、配置为供应第二电压的第二电源布线、以及电连接到第一晶体管的第一布线。第一布线配置为可电连接到第一电源布线或第二电源布线。
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公开(公告)号：CN107121889A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710075831.9
申请日：2017-02-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F1/36 , H01L27/02 , G06F17/50 , H01L27/115 , H01L27/112
CPC classification number: H01L27/11582 , G03F1/36 , G06F17/5081 , H01L21/027 , H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , G06F17/5072 , H01L27/0207 , H01L27/112 , H01L27/115
Abstract: 光学邻近校正(OPC)检验方法包括：检查在堆叠存储器件的布局中的第一图案的第一位置；根据第一位置计算第一图案的偏移值；获得第一位置与通过对于第一图案的OPC而形成的第二图案的第二位置之间的差值；以及基于偏移值和差值确定是否将要再次执行OPC。
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公开(公告)号：CN117596868A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310981686.6
申请日：2023-08-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件，包括：第一结构，包括第一衬底和设置在第一衬底上的外围电路；以及第二结构，包括公共源极板和单元堆叠，该单元堆叠设置在公共源极板上并包括多个栅电极和沟道结构，其中，单元堆叠包括多个单元块，该多个单元块包括多个主块和设置在多个主块的一侧处的至少一个虚设块，其中，公共源极板包括主公共源极线区域和虚设公共源极线区域，其中，主公共源极线区域与多个主块重叠，并且虚设公共源极线区域与主公共源极线区域分开，并通过与至少一个虚设块电隔离而与至少一个虚设块重叠。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110473879A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910379389.8
申请日：2019-05-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L27/1157
Abstract: 一种竖直存储器件包括：栅线结构，其包括其中形成有竖直沟道结构的单元区；以及第一连接区和第二连接区，它们在第一方向上分别布置在单元区的第一端和第二端。第一连接区和第二连接区中的每一个包括第一栅线的第一突起和第二栅线的第二突起，所述第一突起和所述第二突起与衬底的顶表面平行并且在垂直于第一方向的第二方向上布置为台阶。第二连接区的第一突起和第一连接区的第一突起关于单元区的中心线对角地布置，所述中心线平行于第一方向。
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公开(公告)号：CN109671455A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811195218.1
申请日：2018-10-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 本公开提供了包括行解码器的非易失性存储器件。一种非易失性存储器件包括：基板；存储单元阵列，以竖直堆叠结构形成在基板上；以及行解码器，配置为向存储单元阵列供应行线电压，该行解码器包括多个通过晶体管。行线电压通过将通过晶体管连接到存储单元阵列的多条行线供应。每条行线包括与基板的主表面平行的配线和垂直于基板的主表面的接触。所述多条行线当中的至少一条行线中的每个的配线包括多条导电线。
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公开(公告)号：CN117596889A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311006304.4
申请日：2023-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及非易失性存储器件。所述非易失性存储器件包括其中具有外围电路的第一芯片以及堆叠在第一芯片上并且包括存储块的第二芯片。第二芯片包括：公共源极线，公共源极线具有板形形状并且在第一方向和第二方向上延伸；第一虚设公共源极线和第二虚设公共源极线，第一虚设公共源极线和第二虚设公共源极线设置在与公共源极线相同的高度水平；上部绝缘层，上部绝缘层覆盖公共源极线以及第一虚设公共源极线和第二虚设公共源极线；以及第一虚设接触插塞和第二虚设接触插塞，第一虚设接触插塞和第二虚设接触插塞在第三方向上延伸，并且分别电连接到第一虚设公共源极线和第二虚设公共源极线，并且用作垂直电容器的电极。
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公开(公告)号：CN109671455B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN201811195218.1
申请日：2018-10-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 本公开提供了包括行解码器的非易失性存储器件。一种非易失性存储器件包括：基板；存储单元阵列，以竖直堆叠结构形成在基板上；以及行解码器，配置为向存储单元阵列供应行线电压，该行解码器包括多个通过晶体管。行线电压通过将通过晶体管连接到存储单元阵列的多条行线供应。每条行线包括与基板的主表面平行的配线和垂直于基板的主表面的接触。所述多条行线当中的至少一条行线中的每个的配线包括多条导电线。
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公开(公告)号：CN108346664B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201710060999.2
申请日：2017-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供具有外围上单元结构的存储器件和包括其的存储器封装。一种存储器件包括衬底和设置在衬底的第一表面上的外围电路。外围电路包括第一晶体管。存储器件还包括设置在外围电路上的第一布线层、设置在第一布线层上的基底层、设置在基底层上的存储单元阵列、以及设置在存储单元阵列上的第二布线层。第二布线层包括配置为供应第一电压的第一电源布线、配置为供应第二电压的第二电源布线、以及电连接到第一晶体管的第一布线。第一布线配置为可电连接到第一电源布线或第二电源布线。
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