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公开(公告)号:CN110308869B
公开(公告)日:2024-11-19
申请号:CN201910231779.0
申请日:2019-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 公开一种存储器系统、存储器模块以及操作存储器模块的方法。所述存储器系统包括:非易失性存储器模块;第一控制器,被配置为控制非易失性存储器模块。非易失性存储器模块包括:易失性存储器装置;非易失性存储器装置;第二控制器,被配置为控制易失性存储器装置和非易失性存储器装置。第一控制器可被配置为将读取请求发送到第二控制器。当在根据所述读取请求的读取操作期间从非易失性存储器装置没有接收到正常数据时,第一控制器可对第二控制器执行所述读取请求的一次或多次重新发送,而不限制第一控制器执行所述读取请求的一次或多次重新发送的次数。
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公开(公告)号:CN110308869A
公开(公告)日:2019-10-08
申请号:CN201910231779.0
申请日:2019-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 公开一种存储器系统、存储器模块以及操作存储器模块的方法。所述存储器系统包括:非易失性存储器模块;第一控制器,被配置为控制非易失性存储器模块。非易失性存储器模块包括:易失性存储器装置;非易失性存储器装置;第二控制器,被配置为控制易失性存储器装置和非易失性存储器装置。第一控制器可被配置为将读取请求发送到第二控制器。当在根据所述读取请求的读取操作期间从非易失性存储器装置没有接收到正常数据时,第一控制器可对第二控制器执行所述读取请求的一次或多次重新发送,而不限制第一控制器执行所述读取请求的一次或多次重新发送的次数。
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公开(公告)号:CN1514546A
公开(公告)日:2004-07-21
申请号:CN200310125200.1
申请日:2003-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor: 金玗燮
IPC: H03K19/00
CPC classification number: H04L25/0292 , H04L5/1423 , H04L25/0272 , H04L25/028 , H04L25/085
Abstract: 在实施例中包含使用具有同时双向(SBD)输入/输出电路的方法和装置。在示例的系统中,基于SBD电路中的驱动器当前驱动的数据,在SBD电路中的接收器将位线电压与代表位线上期望的两个电压的两个不同电压相比较。描述和要求了其它的实施例。
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公开(公告)号:CN110347611B
公开(公告)日:2023-07-28
申请号:CN201910193535.8
申请日:2019-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种存储器系统和存储器系统的操作方法。所述存储器系统包括:处理器,包括多个核和存储器控制器;第一半导体存储器模块,与存储器控制器通信。所述多个核响应于在存储器控制器从第一半导体存储器模块读取第一数据时检测到第一错误,接收用于执行第一异常处理的调用。所述多个核的第一主核执行第一异常处理,并且所述多个核的剩余核返回至先前执行的剩余操作。
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公开(公告)号:CN110347611A
公开(公告)日:2019-10-18
申请号:CN201910193535.8
申请日:2019-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种存储器系统和存储器系统的操作方法。所述存储器系统包括:处理器,包括多个核和存储器控制器;第一半导体存储器模块,与存储器控制器通信。所述多个核响应于在存储器控制器从第一半导体存储器模块读取第一数据时检测到第一错误,接收用于执行第一异常处理的调用。所述多个核的第一主核执行第一异常处理,并且所述多个核的剩余核返回至先前执行的剩余操作。
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公开(公告)号:CN100401636C
公开(公告)日:2008-07-09
申请号:CN200310125200.1
申请日:2003-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor: 金玗燮
IPC: H03K19/00
CPC classification number: H04L25/0292 , H04L5/1423 , H04L25/0272 , H04L25/028 , H04L25/085
Abstract: 在实施例中包含使用具有同时双向(SBD)输入/输出电路的方法和装置。在示例的系统中,基于SBD电路中的驱动器当前驱动的数据,在SBD电路中的接收器将位线电压与代表位线上期望的两个电压的两个不同电压相比较。描述和要求了其它的实施例。
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