公开(公告)号：CN110308869B

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN201910231779.0

申请日：2019-03-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金大正 ,  姜志锡 ,  高兑京 ,  金成峻 ,  金玗燮 ,  朴赞益 ,  申院济 ,  庾庸准 ,  崔仁寿

IPC: G06F3/06

Abstract: 公开一种存储器系统、存储器模块以及操作存储器模块的方法。所述存储器系统包括：非易失性存储器模块；第一控制器，被配置为控制非易失性存储器模块。非易失性存储器模块包括：易失性存储器装置；非易失性存储器装置；第二控制器，被配置为控制易失性存储器装置和非易失性存储器装置。第一控制器可被配置为将读取请求发送到第二控制器。当在根据所述读取请求的读取操作期间从非易失性存储器装置没有接收到正常数据时，第一控制器可对第二控制器执行所述读取请求的一次或多次重新发送，而不限制第一控制器执行所述读取请求的一次或多次重新发送的次数。

公开(公告)号：CN110389721B

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN201910166951.9

申请日：2019-03-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珉修 ,  姜志锡 ,  金敏秀 ,  金昞直 ,  申院济 ,  李东勋 ,  李妍和 ,  李浩荣 ,  张有镇 ,  崔仁寿

IPC: G06F3/06

Abstract: 公开了半导体存储器模块和包括其的存储器系统。所述半导体存储器模块可包括随机存取存储器、非易失性存储器、缓冲存储器以及控制器，其中，控制器被配置为：响应于控制信号的激活，对缓冲存储器执行读取操作。控制器还可被配置为：根据读取操作的结果，执行将存储在随机存取存储器中的第一数据存储在非易失性存储器中的刷入操作。

公开(公告)号：CN112233719A

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN202010320795.X

申请日：2020-04-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴知赫 ,  姜志锡 ,  郑俊镐

IPC: G11C29/36

Abstract: 一种存储模块，包括：至少一个半导体存储装置；以及测试图案存储器，其储存用于测试至少一个半导体存储装置的第一测试图案信息，并且储存在测试图案存储器中的第一测试图案信息在测试操作中被传送至主机。通过具有上述功能的存储模块，考虑到存储模块的独特的弱特性，能够进行存储测试。

公开(公告)号：CN110389721A

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201910166951.9

申请日：2019-03-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珉修 ,  姜志锡 ,  金敏秀 ,  金昞直 ,  申院济 ,  李东勋 ,  李妍和 ,  李浩荣 ,  张有镇 ,  崔仁寿

IPC: G06F3/06

Abstract: 公开了半导体存储器模块和包括其的存储器系统。所述半导体存储器模块可包括随机存取存储器、非易失性存储器、缓冲存储器以及控制器，其中，控制器被配置为：响应于控制信号的激活，对缓冲存储器执行读取操作。控制器还可被配置为：根据读取操作的结果，执行将存储在随机存取存储器中的第一数据存储在非易失性存储器中的刷入操作。

公开(公告)号：CN110308869A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201910231779.0

申请日：2019-03-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金大正 ,  姜志锡 ,  高兑京 ,  金成峻 ,  金玗燮 ,  朴赞益 ,  申院济 ,  庾庸准 ,  崔仁寿

IPC: G06F3/06

Abstract: 公开一种存储器系统、存储器模块以及操作存储器模块的方法。所述存储器系统包括：非易失性存储器模块；第一控制器，被配置为控制非易失性存储器模块。非易失性存储器模块包括：易失性存储器装置；非易失性存储器装置；第二控制器，被配置为控制易失性存储器装置和非易失性存储器装置。第一控制器可被配置为将读取请求发送到第二控制器。当在根据所述读取请求的读取操作期间从非易失性存储器装置没有接收到正常数据时，第一控制器可对第二控制器执行所述读取请求的一次或多次重新发送，而不限制第一控制器执行所述读取请求的一次或多次重新发送的次数。