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公开(公告)号：CN118360059A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410078140.4
申请日：2024-01-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体纳米颗粒、其制造方法、电致发光器件和电子设备，其中所述半导体纳米颗粒包括：包括锌、硒、和硫的锌硫属化物，所述半导体纳米颗粒不包括镉，所述半导体纳米颗粒呈现出在大于或等于约455纳米(nm)且小于或等于约480nm的范围内的峰值发射波长，在光致发光光谱法分析中，所述半导体纳米颗粒呈现出大于或等于约80％的绝对量子产率和小于或等于约50nm的半宽度，并且所述半导体纳米颗粒的平均颗粒尺寸大于或等于约12nm且小于或等于约50nm。
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公开(公告)号：CN114605995B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202210215693.0
申请日：2016-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及量子点、其制造方法、量子点‑聚合物复合物和包括其电子装置。量子点具有钙钛矿晶体结构和包括由化学式1表示的化合物，其中，A为选自Rb、Cs、Fr、及其组合的IA族金属，B为选自Si、Ge、Sn、Pb、及其组合的IVA族金属，X为选自F、Cl、Br、和I的卤素、BF4‑、或其组合，和α大于0且小于或等于约3；和其中所述量子点具有约1纳米‑约50纳米的尺寸。化学式1ABX3+α。
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公开(公告)号：CN114058374A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110895450.1
申请日：2021-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了量子点、其制造方法和包括其的电致发光设备与电子设备，所述量子点包括：包括第一半导体纳米晶体的芯、和设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳，所述半导体纳米晶体壳的组成不同于所述第一半导体纳米晶体的组成。所述量子点不包括镉，所述半导体纳米晶体壳包括锌硫属化物，所述锌硫属化物包括硒、碲、硫、或其组合，并且所述量子点进一步碱性碱土金属。
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公开(公告)号：CN114058374B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202110895450.1
申请日：2021-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K11/88 , C09K11/02 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , H10H20/823
Abstract: 公开了量子点、其制造方法和包括其的电致发光设备与电子设备，所述量子点包括：包括第一半导体纳米晶体的芯、和设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳，所述半导体纳米晶体壳的组成不同于所述第一半导体纳米晶体的组成。所述量子点不包括镉，所述半导体纳米晶体壳包括锌硫属化物，所述锌硫属化物包括硒、碲、硫、或其组合，并且所述量子点进一步碱性碱土金属。
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公开(公告)号：CN116507145A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310042386.1
申请日：2023-01-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及半导体纳米颗粒、其制造方法、以及包括其的电致发光器件和显示设备。电致发光器件包括第一电极、第二电极、以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层，所述发光层包括多个半导体纳米颗粒，其中所述发光层配置成发射绿色光，其中所述多个半导体纳米颗粒包括：包括铟、磷、和任选地锌的第一半导体纳米晶体，和包括锌硫属化物的第二半导体纳米晶体，其中所述锌硫属化物包括锌、硒和硫，其中在所述多个半导体纳米颗粒中，锌对铟的摩尔比大于或等于约60:1，和其中所述电致发光器件配置成呈现出如以约2700尼特的初始驱动亮度测量的大于或等于约120小时的T90。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107663452A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201710628516.4
申请日：2017-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C09K11/02 , C09K11/70 , H01L33/18 , C09K11/883 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , C09K11/025 , H01L33/504 , H01L33/505 , H01L33/507
Abstract: 公开量子点、其制造方法、以及包括其的量子点-聚合物复合物和电子装置。所述量子点包括：包括第一半导体纳米晶体的芯、和设置在所述芯上的壳，所述壳包括第二半导体纳米晶体和掺杂剂，其中所述第一半导体纳米晶体包括III-V族化合物，所述第二半导体纳米晶体包括锌(Zn)、硫(S)和硒，和所述掺杂剂包括锂、具有比Zn2+的有效离子半径小的有效离子半径的2A族金属、具有比Zn2+的有效离子半径小的有效离子半径的3A族元素、或其组合。
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公开(公告)号：CN110028948B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN201910026870.9
申请日：2019-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及无镉量子点、其制造方法、包括其的组合物、量子点‑聚合物复合物和显示器件。无镉量子点不包括镉且包括：包括铟和磷的半导体纳米晶体核、设置在所述半导体纳米晶体核上并且包括锌和硒的第一半导体纳米晶体壳、以及设置在所述第一半导体纳米晶体壳上并且包括锌和硫的第二半导体纳米晶体壳。
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公开(公告)号：CN107663452B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201710628516.4
申请日：2017-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开量子点、其制造方法、以及包括其的量子点‑聚合物复合物和电子装置。所述量子点包括：包括第一半导体纳米晶体的芯、和设置在所述芯上的壳，所述壳包括第二半导体纳米晶体和掺杂剂，其中所述第一半导体纳米晶体包括III‑V族化合物，所述第二半导体纳米晶体包括锌(Zn)、硫(S)和硒，和所述掺杂剂包括锂、具有比Zn2+的有效离子半径小的有效离子半径的2A族金属、具有比Zn2+的有效离子半径小的有效离子半径的3A族元素、或其组合。
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公开(公告)号：CN113969165A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202110839147.X
申请日：2021-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K11/02 , C09K11/70 , C09K11/88 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C08K3/32 , C08K3/30 , C08J5/18 , H01L31/0352 , H01L31/04 , H01L51/50
Abstract: 公开了量子点、以及包括其的量子点‑聚合物复合物和电子设备。所述量子点包括：包括第一半导体纳米晶体的芯；在所述芯上的包括第二半导体纳米晶体的第一壳，所述第二半导体纳米晶体包括III‑VI族化合物；和在所述第一壳上的包括第三半导体纳米晶体的第二壳，所述第三半导体纳米晶体具有与所述第二半导体纳米晶体的组成不同的组成；其中所述第一半导体纳米晶体和所述第三半导体纳米晶体之一包括III‑V族化合物。
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公开(公告)号：CN110028948A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910026870.9
申请日：2019-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及无镉量子点、其制造方法、包括其的组合物、量子点-聚合物复合物和显示器件。无镉量子点不包括镉且包括：包括铟和磷的半导体纳米晶体核、设置在所述半导体纳米晶体核上并且包括锌和硒的第一半导体纳米晶体壳、以及设置在所述第一半导体纳米晶体壳上并且包括锌和硫的第二半导体纳米晶体壳。
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