公开(公告)号：CN1996614A

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN200610171763.8

申请日：2006-12-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白贤锡 ,  李银河 ,  丁炫硕 ,  韩成基 ,  梁旼镐

IPC: H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28556 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明公开了一种防止栅电极劣化和栅极电流泄漏的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：在半导体衬底上的包括H－k(高介电常数)材料的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上的包括铝合金的阻挡金属层；以及，形成在阻挡金属层上的栅电极层。示例性地，该阻挡金属层包括TaAlN(氮化钽铝)或TiAlN(氮化钛铝)中的至少一种。阻挡金属层可以包括抗氧化材料从而防止后续的氧气氛中半导体器件的退火期间阻挡金属层的氧化。因此，防止了栅电极的劣化，并防止了栅电极劣化所致的栅极电流泄漏。

公开(公告)号：CN1812054B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200510129719.6

申请日：2005-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金旼炷 ,  李钟镐 ,  韩成基 ,  丁炯硕

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/085 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01L21/823842

Abstract: 本发明公开一种半导体器件及其相关制造方法，其中通过用碳和/或氟掺杂金属层，由单个金属层形成双功函数金属栅极电极。

公开(公告)号：CN101013723A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200710006727.0

申请日：2007-02-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁英洙 ,  韩成基 ,  丁炯硕 ,  李炯益

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L29/4966 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供半导体器件，具有多个堆叠的金属层。该半导体器件包括：衬底；在该衬底上沉积且由高k电介质材料形成的栅极氧化物层；在该栅极氧化物层上沉积且由该栅极氧化物层的高k电介质材料的金属的氮化物形成的第一金属层；在该第一金属层上沉积的第二金属层；在该第二金属层上沉积的第三金属层；及在该第三金属层上沉积的材料层，其中该材料层与该第一、第二、和第三金属层一起形成栅极电极。因为该栅极氧化物层和该金属层之间的任何化学反应能够被控制，防止了电容等效氧化物的厚度的变坏和电流的泄漏，并且提供了具有改进的绝缘的半导体器件。

公开(公告)号：CN101013700A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200710006116.6

申请日：2007-01-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁炯硕 ,  李钟镐 ,  韩成基 ,  金柱然 ,  朴廷珉

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/20 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/49 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明提供一种CMOS半导体器件，该器件具有双功函数金属栅极结构，所述结构利用能够实现对PMOS和NMOS器件的独立功函数控制并且显著降低或消除对栅极电介质可靠性的影响的制造技术形成。

公开(公告)号：CN1812054A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200510129719.6

申请日：2005-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金旼炷 ,  李钟镐 ,  韩成基 ,  丁炯硕

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/085 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01L21/823842

Abstract: 本发明公开一种半导体器件及其相关制造方法，其中通过用碳和/或氟掺杂金属层，由单个金属层形成双功函数金属栅极电极。